FET 유형: N and P-Channel, FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 400mA, 220mA, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.4 Ohm @ 350mA, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.1V @ 250µA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 170mA (Ta), Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.5 Ohm @ 100mA, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 250µA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 1.5A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1mA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.3A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 7A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 1mA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 740mA, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 440 mOhm @ 200mA, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA,
FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.3A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 250 mOhm @ 1A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.8V @ 1mA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 3A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 900mV @ 250µA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 2.2A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.8V @ 1mA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.5A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 57 mOhm @ 3.5A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA,
FET 유형: N and P-Channel, FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 300V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 340mA, 235mA, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6 Ohm @ 170mA, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 1mA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 170mA, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.5 Ohm @ 100mA, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 250µA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10.4A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 8A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10.9A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 3A, 5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA,
FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 200mA, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.1 Ohm @ 200mA, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.1V @ 250µA,
FET 유형: N and P-Channel, FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 350mA, 200mA, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.4 Ohm @ 350mA, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.1V @ 250µA,
FET 유형: N and P-Channel, FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 800mA, 550mA, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 380 mOhm @ 500mA, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 950mV @ 250µA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 200mA, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.5 Ohm @ 100mA, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 180mA, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.5 Ohm @ 100mA, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA,
FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 1.8V Drive, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.7A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 102 mOhm @ 2.7A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 330mA (Tc), Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.5 Ohm @ 200mA, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA,
FET 유형: N and P-Channel Complementary, FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 590mA (Ta), 410mA (Ta), Rds On (최대) @ Id, Vgs: 670 mOhm @ 590mA, 4.5V, 1.4 Ohm @ 410mA, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 950mV @ 250µA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 600mA, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 620 mOhm @ 600mA, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 950mV @ 250µA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 350mA, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.4 Ohm @ 350mA, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.1V @ 250µA,
FET 유형: N and P-Channel, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4A (Ta), 3.4A (Ta), Rds On (최대) @ Id, Vgs: 34 mOhm @ 3A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 900mV @ 250µA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 860mA, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 350 mOhm @ 200mA, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 600mA, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 620 mOhm @ 600mA, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 950mV @ 250µA,
FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.9A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 103 mOhm @ 1.3A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 950mV @ 250µA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 800mA (Ta), Rds On (최대) @ Id, Vgs: 380 mOhm @ 500mA, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 950mV @ 250µA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 870mA, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 340 mOhm @ 200mA, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 200mA, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.5 Ohm @ 100mA, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 870mA (Ta), Rds On (최대) @ Id, Vgs: 252 mOhm @ 900mA, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.25V @ 250µA,
FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 410mA, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.4 Ohm @ 410mA, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 950mV @ 250µA,
FET 유형: N and P-Channel Complementary, FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 600mA, 500mA, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 620 mOhm @ 600mA, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 950mV @ 250µA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 170mA (Ta), Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.5 Ohm @ 170mA, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, FET 기능: Standard, Vgs (th) (최대) @ Id: 900mV @ 250µA,
