트랜지스터-양극 (BJT)-단일

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트랜지스터 유형: NPN, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 20V, Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 450mV @ 10mA, 100mA, 전류-콜렉터 컷오프 (최대): 400nA, DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 100mA, 1V,

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2N3635L

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트랜지스터 유형: PNP, 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 140V, Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 50mA, 전류-콜렉터 컷오프 (최대): 10µA, DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 10V,

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2N5582

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트랜지스터 유형: NPN, 전류-수집기 (Ic) (최대): 800mA, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 50V, Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, 전류-콜렉터 컷오프 (최대): 10µA (ICBO), DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

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2N2896

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트랜지스터 유형: NPN, 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 90V, Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 600mV @ 15mA, 150mA, 전류-콜렉터 컷오프 (최대): 10nA (ICBO), DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 150mA, 10V,

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