기억

MT29F64G08CBABAWP-IT:B TR

MT29F64G08CBABAWP-IT:B TR

부품 재고: 7882

메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: FLASH, 과학 기술: FLASH - NAND, 메모리 크기: 64Gb (8G x 8),

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MT29F4G08ABBDAH4-ITE:D

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부품 재고: 9752

메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: FLASH, 과학 기술: FLASH - NAND, 메모리 크기: 4Gb (512M x 8),

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MT29F64G08ABCBBH6-6:B TR

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부품 재고: 6793

메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: FLASH, 과학 기술: FLASH - NAND, 메모리 크기: 64Gb (8G x 8), 클록 주파수: 167MHz,

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MT53B2DANL-DC

MT53B2DANL-DC

부품 재고: 2507

메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: DRAM, 과학 기술: SDRAM - Mobile LPDDR4,

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EDFP264A2PB-JD-F-R TR

EDFP264A2PB-JD-F-R TR

부품 재고: 873

메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: DRAM, 과학 기술: SDRAM - Mobile LPDDR3, 메모리 크기: 24Gb (384M x 64), 클록 주파수: 933MHz,

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N25Q512A13GSFA0F TR

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부품 재고: 7894

메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: FLASH, 과학 기술: FLASH - NOR, 메모리 크기: 512Mb (128M x 4), 클록 주파수: 108MHz, 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 8ms, 5ms,

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N25Q064A13EW94ME

N25Q064A13EW94ME

부품 재고: 3658

메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: FLASH, 과학 기술: FLASH - NOR, 메모리 크기: 64Mb (16M x 4), 클록 주파수: 108MHz, 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 8ms, 5ms,

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MT53B512M64D4NJ-062 WT ES:B TR

MT53B512M64D4NJ-062 WT ES:B TR

부품 재고: 9094

메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: DRAM, 과학 기술: SDRAM - Mobile LPDDR4, 메모리 크기: 32Gb (512M x 64), 클록 주파수: 1600MHz,

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EDY4016AABG-JD-F-R TR

EDY4016AABG-JD-F-R TR

부품 재고: 8456

메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: DRAM, 과학 기술: SDRAM - DDR4, 메모리 크기: 4Gb (256M x 16), 클록 주파수: 1.6GHz,

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MT25QU128ABA8E14-1SIT TR

MT25QU128ABA8E14-1SIT TR

부품 재고: 28446

메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: FLASH, 과학 기술: FLASH - NOR, 메모리 크기: 128Mb (16M x 8), 클록 주파수: 133MHz, 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 8ms, 2.8ms,

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MT53B256M64D2NK-053 WT ES:C TR

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부품 재고: 8776

메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: DRAM, 과학 기술: SDRAM - Mobile LPDDR4, 메모리 크기: 16Gb (256M x 64), 클록 주파수: 1866MHz,

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MT29F1G01ABAFD12-AATES:F

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부품 재고: 11931

메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: FLASH, 과학 기술: FLASH - NAND, 메모리 크기: 1Gb (1G x 1),

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MT53B4DAPV-DC TR

MT53B4DAPV-DC TR

부품 재고: 8097

메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: DRAM, 과학 기술: SDRAM - Mobile LPDDR4,

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N25Q512A81GSF40F TR

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부품 재고: 1296

메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: FLASH, 과학 기술: FLASH - NOR, 메모리 크기: 512Mb (128M x 4), 클록 주파수: 108MHz, 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 8ms, 5ms,

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EDB130ABDBH-1D-F-D

EDB130ABDBH-1D-F-D

부품 재고: 17990

메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: DRAM, 과학 기술: SDRAM - Mobile LPDDR2, 메모리 크기: 1Gb (64M x 16, 32M x 32), 클록 주파수: 533MHz,

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PF58F0095HVT0B0A
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EDF8132A3PB-JD-F-R TR

EDF8132A3PB-JD-F-R TR

부품 재고: 8991

메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: DRAM, 과학 기술: SDRAM - Mobile LPDDR3, 메모리 크기: 8Gb (256M x 32), 클록 주파수: 933MHz,

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MT29F256G08CKCABH2-12:A TR

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부품 재고: 358

메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: FLASH, 과학 기술: FLASH - NAND, 메모리 크기: 256Gb (32G x 8), 클록 주파수: 83MHz,

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MT40A512M16LY-062E:E

MT40A512M16LY-062E:E

부품 재고: 124

메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: DRAM, 과학 기술: SDRAM - DDR4, 메모리 크기: 8Gb (512M x 16), 클록 주파수: 1.6GHz,

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NAND256W3A2BE06

NAND256W3A2BE06

부품 재고: 9774

메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: FLASH, 과학 기술: FLASH - NAND, 메모리 크기: 256Mb (32M x 8), 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 50ns,

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MT29F1T08CMCBBJ4-37ES:B TR

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부품 재고: 1299

메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: FLASH, 과학 기술: FLASH - NAND, 메모리 크기: 1Tb (128G x 8), 클록 주파수: 267MHz,

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NAND512R3A2SZA6F

NAND512R3A2SZA6F

부품 재고: 9843

메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: FLASH, 과학 기술: FLASH - NAND, 메모리 크기: 512Mb (64M x 8), 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 50ns,

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MT53B4DAANK-DC

MT53B4DAANK-DC

부품 재고: 1132

메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: DRAM, 과학 기술: SDRAM - Mobile LPDDR4,

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MT29F512G08CMCABK7-6:A

MT29F512G08CMCABK7-6:A

부품 재고: 9145

메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: FLASH, 과학 기술: FLASH - NAND, 메모리 크기: 512Gb (64G x 8), 클록 주파수: 166MHz,

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MT53D384M64D4TZ-053 WT ES:C TR

MT53D384M64D4TZ-053 WT ES:C TR

부품 재고: 2266

메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: DRAM, 과학 기술: SDRAM - Mobile LPDDR4, 메모리 크기: 24Gb (384M x 64), 클록 주파수: 1866MHz,

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MT29F512G08CMCABK7-6:A TR

MT29F512G08CMCABK7-6:A TR

부품 재고: 277

메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: FLASH, 과학 기술: FLASH - NAND, 메모리 크기: 512Gb (64G x 8), 클록 주파수: 166MHz,

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MT49H16M18FM-33:B

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부품 재고: 663

메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: DRAM, 과학 기술: DRAM, 메모리 크기: 288Mb (16M x 18), 클록 주파수: 300MHz,

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MT53B384M64D4NH-062 WT ES:B TR

MT53B384M64D4NH-062 WT ES:B TR

부품 재고: 1456

메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: DRAM, 과학 기술: SDRAM - Mobile LPDDR4, 메모리 크기: 24Gb (384M x 64), 클록 주파수: 1600MHz,

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EDFP112A3PB-JDTJ-F-R TR

EDFP112A3PB-JDTJ-F-R TR

부품 재고: 738

메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: DRAM, 과학 기술: SDRAM - Mobile LPDDR3, 메모리 크기: 24Gb (192M x 128), 클록 주파수: 933MHz,

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MT53B256M64D2NK-062 WT:C TR

MT53B256M64D2NK-062 WT:C TR

부품 재고: 2116

메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: DRAM, 과학 기술: SDRAM - Mobile LPDDR4, 메모리 크기: 16Gb (256M x 64), 클록 주파수: 1600MHz,

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EDFA112A2PD-JD-F-R TR

EDFA112A2PD-JD-F-R TR

부품 재고: 288

메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: DRAM, 과학 기술: SDRAM - Mobile LPDDR3, 메모리 크기: 16Gb (128M x 128), 클록 주파수: 933MHz,

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MT38M5041A3034EZZI.XR6 TR

MT38M5041A3034EZZI.XR6 TR

부품 재고: 11265

메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: FLASH, RAM, 과학 기술: FLASH, PSRAM, 메모리 크기: 512Mb (32M x 16), 128M (8M x 16), 클록 주파수: 133MHz,

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N25Q128A11ESECFE

N25Q128A11ESECFE

부품 재고: 3562

메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: FLASH, 과학 기술: FLASH - NOR, 메모리 크기: 128Mb (32M x 4), 클록 주파수: 108MHz, 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 8ms, 5ms,

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MT29F1T08CUEABH8-12:A TR

MT29F1T08CUEABH8-12:A TR

부품 재고: 9383

메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: FLASH, 과학 기술: FLASH - NAND, 메모리 크기: 1Tb (128G x 8), 클록 주파수: 83MHz,

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EDBM432B3PB-1D-F-D

EDBM432B3PB-1D-F-D

부품 재고: 3105

메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: DRAM, 과학 기술: SDRAM - Mobile LPDDR2, 메모리 크기: 12Gb (384M x 32), 클록 주파수: 533MHz,

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