메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: DRAM, 과학 기술: SDRAM - Mobile LPDDR4, 메모리 크기: 64Gb (1G x 64), 클록 주파수: 2133MHz,
메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: FLASH, 과학 기술: FLASH, 메모리 크기: 32Mb (4M x 8, 2M x 16),
메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: DRAM, 과학 기술: SDRAM - Mobile LPSDR, 메모리 크기: 128Mb (8M x 16), 클록 주파수: 125MHz, 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns,
메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: FLASH, 과학 기술: FLASH, 메모리 크기: 64Mb (8M x 8, 4M x 16),
메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: DRAM, 과학 기술: SDRAM - DDR, 메모리 크기: 256Mb (32M x 8), 클록 주파수: 133MHz, 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns,
메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: DRAM, 과학 기술: SDRAM, 메모리 크기: 256Mb (64M x 4), 클록 주파수: 133MHz, 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns,
메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: PSRAM, 과학 기술: PSRAM (Pseudo SRAM), 메모리 크기: 16Mb (1M x 16), 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 85ns,
메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: DRAM, 과학 기술: SDRAM, 메모리 크기: 256Mb (32M x 8), 클록 주파수: 133MHz, 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns,
메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: DRAM, 과학 기술: SDRAM - Mobile LPSDR, 메모리 크기: 128Mb (8M x 16), 클록 주파수: 100MHz, 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns,
메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: FLASH, 과학 기술: FLASH - NAND, 메모리 크기: 3Tb (384G x 8), 클록 주파수: 333MHz,
메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: DRAM, 과학 기술: SDRAM, 메모리 크기: 128Mb (4M x 32), 클록 주파수: 143MHz, 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 14ns,
메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: FLASH, 과학 기술: FLASH - NOR, 메모리 크기: 4Mb (512K x 8, 256K x 16), 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 80ns,
메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: FLASH, 과학 기술: FLASH, 메모리 크기: 128Mb (16M x 8, 8M x 16),
메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: FLASH, 과학 기술: FLASH - NAND, 메모리 크기: 256Gb (32G x 8), 클록 주파수: 100MHz,
메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: DRAM, 과학 기술: SDRAM, 메모리 크기: 128Mb (16M x 8), 클록 주파수: 133MHz, 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns,
메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: PSRAM, 과학 기술: PSRAM (Pseudo SRAM), 메모리 크기: 32Mb (2M x 16), 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 85ns,
메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: DRAM, 과학 기술: SDRAM - Mobile LPSDR, 메모리 크기: 512Mb (16M x 32), 클록 주파수: 100MHz,
메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: FLASH, 과학 기술: FLASH - NAND, 메모리 크기: 2Tb (256G x 8), 클록 주파수: 333MHz,
메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: DRAM, 과학 기술: SDRAM - DDR, 메모리 크기: 512Mb (32M x 16), 클록 주파수: 200MHz, 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns,
메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: FLASH, 과학 기술: FLASH - NOR, 메모리 크기: 8Mb (1M x 8, 512K x 16), 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 90ns,
메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: FLASH, 과학 기술: FLASH - NAND, 메모리 크기: 512Gb (64G x 8), 클록 주파수: 166MHz,
메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: DRAM, 과학 기술: SDRAM - DDR2, 메모리 크기: 1Gb (128M x 8), 클록 주파수: 267MHz, 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns,
메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: FLASH, 과학 기술: FLASH - NOR, 메모리 크기: 4Mb (512K x 8), 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 80ns,
메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: DRAM, 과학 기술: SDRAM - DDR, 메모리 크기: 128Mb (16M x 8), 클록 주파수: 133MHz, 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns,
메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: DRAM, 과학 기술: SDRAM, 메모리 크기: 256Mb (8M x 32), 클록 주파수: 143MHz, 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 14ns,
메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: DRAM, 과학 기술: SDRAM, 메모리 크기: 512Mb (64M x 8), 클록 주파수: 133MHz, 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns,
메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: DRAM, 과학 기술: SDRAM - Mobile LPSDR, 메모리 크기: 128Mb (4M x 32), 클록 주파수: 125MHz, 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns,
메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: DRAM, 과학 기술: SDRAM - DDR, 메모리 크기: 512Mb (64M x 8), 클록 주파수: 133MHz, 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns,
메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: PSRAM, 과학 기술: PSRAM (Pseudo SRAM), 메모리 크기: 64Mb (4M x 16), 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 85ns,
