프로그래밍 가능 유형: In System Programmable (min 10K program/erase cycles), 지연 시간 tpd (1) 최대: 15.0ns, 전압 공급-내부: 3V ~ 3.6V, 매크로 셀 수: 128,
프로그래밍 가능 유형: In System Programmable (min 10K program/erase cycles), 지연 시간 tpd (1) 최대: 20.0ns, 전압 공급-내부: 4.75V ~ 5.25V, 매크로 셀 수: 128,
프로그래밍 가능 유형: In System Programmable (min 10K program/erase cycles), 지연 시간 tpd (1) 최대: 10.0ns, 전압 공급-내부: 4.75V ~ 5.25V, 매크로 셀 수: 128,
프로그래밍 가능 유형: In System Programmable (min 10K program/erase cycles), 지연 시간 tpd (1) 최대: 20.0ns, 전압 공급-내부: 3V ~ 3.6V, 매크로 셀 수: 64,
프로그래밍 가능 유형: In System Programmable (min 10K program/erase cycles), 지연 시간 tpd (1) 최대: 15.0ns, 전압 공급-내부: 3V ~ 3.6V, 매크로 셀 수: 64,
프로그래밍 가능 유형: In System Programmable (min 10K program/erase cycles), 지연 시간 tpd (1) 최대: 20.0ns, 전압 공급-내부: 4.75V ~ 5.25V, 매크로 셀 수: 64,
프로그래밍 가능 유형: In System Programmable (min 10K program/erase cycles), 지연 시간 tpd (1) 최대: 15.0ns, 전압 공급-내부: 4.75V ~ 5.25V, 매크로 셀 수: 64,
프로그래밍 가능 유형: In System Programmable (min 10K program/erase cycles), 지연 시간 tpd (1) 최대: 10.0ns, 전압 공급-내부: 4.75V ~ 5.25V, 매크로 셀 수: 64,
프로그래밍 가능 유형: In System Programmable (min 10K program/erase cycles), 지연 시간 tpd (1) 최대: 30.0ns, 전압 공급-내부: 3V ~ 3.6V, 매크로 셀 수: 32,
프로그래밍 가능 유형: In System Programmable (min 10K program/erase cycles), 지연 시간 tpd (1) 최대: 15.0ns, 전압 공급-내부: 3V ~ 3.6V, 매크로 셀 수: 32,
프로그래밍 가능 유형: In System Programmable (min 10K program/erase cycles), 지연 시간 tpd (1) 최대: 10.0ns, 전압 공급-내부: 4.75V ~ 5.25V, 매크로 셀 수: 32,
