FET 유형: N and P-Channel, FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 200V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7 Ohm @ 1A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 1mA,
FET 유형: 2 N and 2 P-Channel, FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 200V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 10 Ohm @ 1A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.4V @ 1mA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 240V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6 Ohm @ 500mA, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 1mA,
FET 유형: 6 N and 6 P-Channel, FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 200V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8 Ohm @ 1A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.4V @ 1mA,
FET 유형: N and P-Channel, FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 200V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2A (Ta), Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7 Ohm @ 1A, 10V, 8 Ohm @ 1A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 1mA, 2.4V @ 1mA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Depletion Mode, 드레인-소스 전압 (Vdss): 250V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.1A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.5 Ohm @ 1A, 0V,
FET 유형: N and P-Channel, FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 150V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4 Ohm @ 2A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 1mA,
FET 유형: N and P-Channel, FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 60 Ohm @ 50mA, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1mA,
FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 300V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 180 Ohm @ 20mA, 7V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.4V @ 1mA,
FET 유형: 2 N-Channel (Cascoded), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 1200V (1.2kV), Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3000 Ohm @ 2mA, 2.8V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.6V @ 10µA,
FET 유형: 2 N and 2 P-Channel, FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 200V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6 Ohm @ 1A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.4V @ 1mA,
