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93C86AT-I/OT

93C86AT-I/OT

부품 재고: 184742

메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: EEPROM, 과학 기술: EEPROM, 메모리 크기: 16Kb (2K x 8), 클록 주파수: 3MHz, 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 2ms,

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93LC86AT-I/OT

93LC86AT-I/OT

부품 재고: 184768

메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: EEPROM, 과학 기술: EEPROM, 메모리 크기: 16Kb (2K x 8), 클록 주파수: 3MHz, 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 5ms,

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93LC86BT-I/OT

93LC86BT-I/OT

부품 재고: 184695

메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: EEPROM, 과학 기술: EEPROM, 메모리 크기: 16Kb (1K x 16), 클록 주파수: 3MHz, 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 5ms,

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93AA86AT-I/OT

93AA86AT-I/OT

부품 재고: 184769

메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: EEPROM, 과학 기술: EEPROM, 메모리 크기: 16Kb (2K x 8), 클록 주파수: 3MHz, 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 5ms,

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93C86BT-I/OT

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부품 재고: 170306

메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: EEPROM, 과학 기술: EEPROM, 메모리 크기: 16Kb (1K x 16), 클록 주파수: 3MHz, 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 2ms,

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93C66B-E/MS

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부품 재고: 184728

메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: EEPROM, 과학 기술: EEPROM, 메모리 크기: 4Kb (256 x 16), 클록 주파수: 2MHz, 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 2ms,

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93LC66CT-E/ST

93LC66CT-E/ST

부품 재고: 184763

메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: EEPROM, 과학 기술: EEPROM, 메모리 크기: 4Kb (512 x 8, 256 x 16), 클록 주파수: 3MHz, 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 6ms,

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93LC66A-E/ST

93LC66A-E/ST

부품 재고: 184694

메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: EEPROM, 과학 기술: EEPROM, 메모리 크기: 4Kb (512 x 8), 클록 주파수: 2MHz, 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 6ms,

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93C66A-E/ST

93C66A-E/ST

부품 재고: 184755

메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: EEPROM, 과학 기술: EEPROM, 메모리 크기: 4Kb (512 x 8), 클록 주파수: 2MHz, 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 2ms,

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93C66BT-E/ST

93C66BT-E/ST

부품 재고: 184768

메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: EEPROM, 과학 기술: EEPROM, 메모리 크기: 4Kb (256 x 16), 클록 주파수: 2MHz, 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 2ms,

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93LC66B-E/MS

93LC66B-E/MS

부품 재고: 184697

메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: EEPROM, 과학 기술: EEPROM, 메모리 크기: 4Kb (256 x 16), 클록 주파수: 2MHz, 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 6ms,

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93C66AT-E/MNY

93C66AT-E/MNY

부품 재고: 184715

메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: EEPROM, 과학 기술: EEPROM, 메모리 크기: 4Kb (512 x 8), 클록 주파수: 2MHz, 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 2ms,

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93C66AT-E/ST

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부품 재고: 184768

메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: EEPROM, 과학 기술: EEPROM, 메모리 크기: 4Kb (512 x 8), 클록 주파수: 2MHz, 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 2ms,

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93LC66CT-E/MS

93LC66CT-E/MS

부품 재고: 184777

메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: EEPROM, 과학 기술: EEPROM, 메모리 크기: 4Kb (512 x 8, 256 x 16), 클록 주파수: 3MHz, 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 6ms,

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93LC66A-E/MS

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부품 재고: 184782

메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: EEPROM, 과학 기술: EEPROM, 메모리 크기: 4Kb (512 x 8), 클록 주파수: 2MHz, 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 6ms,

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93LC66AT-E/MNY

93LC66AT-E/MNY

부품 재고: 184765

메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: EEPROM, 과학 기술: EEPROM, 메모리 크기: 4Kb (512 x 8), 클록 주파수: 2MHz, 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 6ms,

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93C66CT-E/MNY

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부품 재고: 184765

메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: EEPROM, 과학 기술: EEPROM, 메모리 크기: 4Kb (512 x 8, 256 x 16), 클록 주파수: 3MHz, 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 2ms,

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93C66C-E/ST

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부품 재고: 184769

메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: EEPROM, 과학 기술: EEPROM, 메모리 크기: 4Kb (512 x 8, 256 x 16), 클록 주파수: 3MHz, 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 2ms,

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93LC66AT-E/ST

93LC66AT-E/ST

부품 재고: 184760

메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: EEPROM, 과학 기술: EEPROM, 메모리 크기: 4Kb (512 x 8), 클록 주파수: 2MHz, 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 6ms,

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93LC66C-E/ST

부품 재고: 184721

메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: EEPROM, 과학 기술: EEPROM, 메모리 크기: 4Kb (512 x 8, 256 x 16), 클록 주파수: 3MHz, 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 6ms,

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93C66C-E/MS

93C66C-E/MS

부품 재고: 184749

메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: EEPROM, 과학 기술: EEPROM, 메모리 크기: 4Kb (512 x 8, 256 x 16), 클록 주파수: 3MHz, 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 2ms,

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93LC66B-E/ST

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부품 재고: 184746

메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: EEPROM, 과학 기술: EEPROM, 메모리 크기: 4Kb (256 x 16), 클록 주파수: 2MHz, 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 6ms,

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93C66BT-E/MS

93C66BT-E/MS

부품 재고: 184714

메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: EEPROM, 과학 기술: EEPROM, 메모리 크기: 4Kb (256 x 16), 클록 주파수: 2MHz, 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 2ms,

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93C56A-E/P

93C56A-E/P

부품 재고: 184713

메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: EEPROM, 과학 기술: EEPROM, 메모리 크기: 2Kb (256 x 8), 클록 주파수: 2MHz, 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 2ms,

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93C66B-E/ST

93C66B-E/ST

부품 재고: 184697

메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: EEPROM, 과학 기술: EEPROM, 메모리 크기: 4Kb (256 x 16), 클록 주파수: 2MHz, 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 2ms,

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93LC46C-E/P

93LC46C-E/P

부품 재고: 184752

메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: EEPROM, 과학 기술: EEPROM, 메모리 크기: 1Kb (128 x 8 , 64 x 16), 클록 주파수: 3MHz, 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 6ms,

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93LC66C-E/MS

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부품 재고: 184702

메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: EEPROM, 과학 기술: EEPROM, 메모리 크기: 4Kb (512 x 8, 256 x 16), 클록 주파수: 3MHz, 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 6ms,

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93C56B-E/P

93C56B-E/P

부품 재고: 184709

메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: EEPROM, 과학 기술: EEPROM, 메모리 크기: 2Kb (128 x 16), 클록 주파수: 2MHz, 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 2ms,

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93LC56A-E/P

93LC56A-E/P

부품 재고: 184739

메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: EEPROM, 과학 기술: EEPROM, 메모리 크기: 2Kb (256 x 8), 클록 주파수: 2MHz, 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 6ms,

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93LC56C-E/P

93LC56C-E/P

부품 재고: 184717

메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: EEPROM, 과학 기술: EEPROM, 메모리 크기: 2Kb (256 x 8, 128 x 16), 클록 주파수: 3MHz, 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 6ms,

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93LC66BT-E/MS

93LC66BT-E/MS

부품 재고: 184763

메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: EEPROM, 과학 기술: EEPROM, 메모리 크기: 4Kb (256 x 16), 클록 주파수: 2MHz, 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 6ms,

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93C56C-E/P

93C56C-E/P

부품 재고: 184737

메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: EEPROM, 과학 기술: EEPROM, 메모리 크기: 2Kb (256 x 8, 128 x 16), 클록 주파수: 3MHz, 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 2ms,

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93LC66AT-E/MS

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부품 재고: 184732

메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: EEPROM, 과학 기술: EEPROM, 메모리 크기: 4Kb (512 x 8), 클록 주파수: 2MHz, 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 6ms,

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부품 재고: 184782

메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: EEPROM, 과학 기술: EEPROM, 메모리 크기: 1Kb (128 x 8, 64 x 16), 클록 주파수: 3MHz, 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 2ms,

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부품 재고: 184735

메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: EEPROM, 과학 기술: EEPROM, 메모리 크기: 4Kb (512 x 8), 클록 주파수: 2MHz, 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 2ms,

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부품 재고: 184720

메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: EEPROM, 과학 기술: EEPROM, 메모리 크기: 4Kb (512 x 8, 256 x 16), 클록 주파수: 3MHz, 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 2ms,

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