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11LC080-E/MS

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부품 재고: 198909

메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: EEPROM, 과학 기술: EEPROM, 메모리 크기: 8Kb (1K x 8), 클록 주파수: 100kHz, 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 5ms,

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11LC080T-E/MS

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부품 재고: 103321

메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: EEPROM, 과학 기술: EEPROM, 메모리 크기: 8Kb (1K x 8), 클록 주파수: 100kHz, 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 5ms,

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11AA02E48T-I/TT

11AA02E48T-I/TT

부품 재고: 112721

메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: EEPROM, 과학 기술: EEPROM, 메모리 크기: 2Kb (256 x 8), 클록 주파수: 100kHz, 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 5ms,

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11LC040-E/P

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부품 재고: 176294

메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: EEPROM, 과학 기술: EEPROM, 메모리 크기: 4Kb (512 x 8), 클록 주파수: 100kHz, 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 5ms,

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11LC080T-E/MNY

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부품 재고: 181583

메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: EEPROM, 과학 기술: EEPROM, 메모리 크기: 8Kb (1K x 8), 클록 주파수: 100kHz, 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 5ms,

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11AA02E64T-I/TT

11AA02E64T-I/TT

부품 재고: 152425

메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: EEPROM, 과학 기술: EEPROM, 메모리 크기: 2Kb (256 x 8), 클록 주파수: 100kHz, 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 5ms,

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11LC040T-E/MNY

11LC040T-E/MNY

부품 재고: 103344

메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: EEPROM, 과학 기술: EEPROM, 메모리 크기: 4Kb (512 x 8), 클록 주파수: 100kHz, 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 5ms,

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11LC040-E/MS

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부품 재고: 164258

메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: EEPROM, 과학 기술: EEPROM, 메모리 크기: 4Kb (512 x 8), 클록 주파수: 100kHz, 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 5ms,

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11AA161-I/P

11AA161-I/P

부품 재고: 127792

메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: EEPROM, 과학 기술: EEPROM, 메모리 크기: 16Kb (2K x 8), 클록 주파수: 100kHz, 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 5ms,

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11LC160T-E/SN

11LC160T-E/SN

부품 재고: 155830

메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: EEPROM, 과학 기술: EEPROM, 메모리 크기: 16Kb (2K x 8), 클록 주파수: 100kHz, 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 5ms,

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11LC161T-E/SN

11LC161T-E/SN

부품 재고: 149765

메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: EEPROM, 과학 기술: EEPROM, 메모리 크기: 16Kb (2K x 8), 클록 주파수: 100kHz, 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 5ms,

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11LC020-E/P

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부품 재고: 125832

메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: EEPROM, 과학 기술: EEPROM, 메모리 크기: 2Kb (256 x 8), 클록 주파수: 100kHz, 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 5ms,

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11LC161-E/SN

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부품 재고: 125450

메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: EEPROM, 과학 기술: EEPROM, 메모리 크기: 16Kb (2K x 8), 클록 주파수: 100kHz, 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 5ms,

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11LC161-I/P

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부품 재고: 129009

메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: EEPROM, 과학 기술: EEPROM, 메모리 크기: 16Kb (2K x 8), 클록 주파수: 100kHz, 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 5ms,

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11LC160-E/SN

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부품 재고: 133714

메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: EEPROM, 과학 기술: EEPROM, 메모리 크기: 16Kb (2K x 8), 클록 주파수: 100kHz, 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 5ms,

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11LC040T-E/MS

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부품 재고: 124090

메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: EEPROM, 과학 기술: EEPROM, 메모리 크기: 4Kb (512 x 8), 클록 주파수: 100kHz, 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 5ms,

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11LC040-I/P

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부품 재고: 168475

메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: EEPROM, 과학 기술: EEPROM, 메모리 크기: 4Kb (512 x 8), 클록 주파수: 100kHz, 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 5ms,

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11AA160-I/TO

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부품 재고: 124225

메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: EEPROM, 과학 기술: EEPROM, 메모리 크기: 16Kb (2K x 8), 클록 주파수: 100kHz, 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 5ms,

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11AA02UIDT-I/TT

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부품 재고: 103902

메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: EEPROM, 과학 기술: EEPROM, 메모리 크기: 2Kb (256 x 8), 클록 주파수: 100kHz, 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 5ms,

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11AA161-I/MS

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부품 재고: 164096

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11LC161T-I/MNY

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11AA160T-I/MNY

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부품 재고: 140493

메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: EEPROM, 과학 기술: EEPROM, 메모리 크기: 16Kb (2K x 8), 클록 주파수: 100kHz, 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 5ms,

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11LC160T-I/MNY

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부품 재고: 190928

메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: EEPROM, 과학 기술: EEPROM, 메모리 크기: 16Kb (2K x 8), 클록 주파수: 100kHz, 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 5ms,

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11LC161T-E/TT

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메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: EEPROM, 과학 기술: EEPROM, 메모리 크기: 16Kb (2K x 8), 클록 주파수: 100kHz, 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 5ms,

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11LC020T-E/MS

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부품 재고: 174223

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11LC080T-E/SN

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11LC020T-E/MNY

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부품 재고: 193164

메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: EEPROM, 과학 기술: EEPROM, 메모리 크기: 2Kb (256 x 8), 클록 주파수: 100kHz, 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 5ms,

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11LC160T-I/MS

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부품 재고: 164636

메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: EEPROM, 과학 기술: EEPROM, 메모리 크기: 16Kb (2K x 8), 클록 주파수: 100kHz, 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 5ms,

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11LC161T-I/MS

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부품 재고: 191882

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11AA161T-I/MNY

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부품 재고: 118653

메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: EEPROM, 과학 기술: EEPROM, 메모리 크기: 16Kb (2K x 8), 클록 주파수: 100kHz, 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 5ms,

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부품 재고: 141706

메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: EEPROM, 과학 기술: EEPROM, 메모리 크기: 1Kb (128 x 8), 클록 주파수: 100kHz, 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 5ms,

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11LC160T-E/TT

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부품 재고: 158302

메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: EEPROM, 과학 기술: EEPROM, 메모리 크기: 16Kb (2K x 8), 클록 주파수: 100kHz, 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 5ms,

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