FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10.1A (Ta), Rds On (최대) @ Id, Vgs: 13 mOhm @ 6.5A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 1mA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10.1A (Ta), Rds On (최대) @ Id, Vgs: 9.8 mOhm @ 3A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 1mA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Common Source, FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 5.5V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12A (Ta), Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3 mOhm @ 6A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 0.9V @ 250µA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Common Source, FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 5.5V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 16A (Ta), Rds On (최대) @ Id, Vgs: 0.95 mOhm @ 8A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 0.9V @ 250µA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9.4A (Ta), Rds On (최대) @ Id, Vgs: 17 mOhm @ 3A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 1mA,
