FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 5.5V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12A (Ta), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 3.5V, 4.5V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.4 mOhm @ 12A, 4.5V,
