기억

AS4C8M32MSA-6BINTR

AS4C8M32MSA-6BINTR

부품 재고: 127

메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: DRAM, 과학 기술: SDRAM - Mobile, 메모리 크기: 256Mb (8M x 32), 클록 주파수: 166MHz, 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns,

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AS4C16M32MSA-6BINTR

AS4C16M32MSA-6BINTR

부품 재고: 139

메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: DRAM, 과학 기술: SDRAM - Mobile SDRAM, 메모리 크기: 512Mb (16M x 32), 클록 주파수: 166MHz, 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns,

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AS6C8008A-45ZINTR

AS6C8008A-45ZINTR

부품 재고: 16763

메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: SRAM, 과학 기술: SRAM - Asynchronous, 메모리 크기: 8Mb (1M x 8), 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 45ns,

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AS4C64M8D2-25BANTR

AS4C64M8D2-25BANTR

부품 재고: 16675

메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: DRAM, 과학 기술: SDRAM - DDR2, 메모리 크기: 512Mb (64M x 8), 클록 주파수: 400MHz, 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns,

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AS4C8M16MSA-6BIN

AS4C8M16MSA-6BIN

부품 재고: 1392

메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: DRAM, 과학 기술: SDRAM - Mobile, 메모리 크기: 128Mb (8M x 16), 클록 주파수: 166MHz,

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AS7C34098B-10BIN

AS7C34098B-10BIN

부품 재고: 868

메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: SRAM, 과학 기술: SRAM - Asynchronous, 메모리 크기: 4Mb (512K x 8), 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 10ns,

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AS4C32M16D1-5TIN

AS4C32M16D1-5TIN

부품 재고: 16780

메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: DRAM, 과학 기술: SDRAM - DDR, 메모리 크기: 512Mb (32M x 16), 클록 주파수: 200MHz, 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns,

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AS4C4M32D1A-5BIN

AS4C4M32D1A-5BIN

부품 재고: 16815

메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: DRAM, 과학 기술: SDRAM - DDR, 메모리 크기: 128Mb (4M x 32), 클록 주파수: 200MHz, 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 12ns,

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AS4C64M8D1-5TIN

AS4C64M8D1-5TIN

부품 재고: 16799

메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: DRAM, 과학 기술: SDRAM - DDR, 메모리 크기: 512Mb (64M x 8), 클록 주파수: 200MHz, 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns,

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AS6C8008A-45BINTR

AS6C8008A-45BINTR

부품 재고: 16998

메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: SRAM, 과학 기술: SRAM - Asynchronous, 메모리 크기: 8Mb (1M x 8), 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 45ns,

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AS6C4016-55ZIN

AS6C4016-55ZIN

부품 재고: 17235

메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: SRAM, 과학 기술: SRAM - Asynchronous, 메모리 크기: 4Mb (256K x 16), 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 55ns,

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AS4C32M16D1A-5TIN

AS4C32M16D1A-5TIN

부품 재고: 17242

메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: DRAM, 과학 기술: SDRAM - DDR, 메모리 크기: 512Mb (32M x 16), 클록 주파수: 200MHz, 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns,

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AS7C32096A-10TCN

AS7C32096A-10TCN

부품 재고: 19748

메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: SRAM, 과학 기술: SRAM - Asynchronous, 메모리 크기: 2Mb (256K x 8), 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 10ns,

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AS7C34098A-20TIN

AS7C34098A-20TIN

부품 재고: 17709

메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: SRAM, 과학 기술: SRAM - Asynchronous, 메모리 크기: 4Mb (256K x 16), 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 20ns,

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AS7C34098A-20JIN

AS7C34098A-20JIN

부품 재고: 17777

메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: SRAM, 과학 기술: SRAM - Asynchronous, 메모리 크기: 4Mb (256K x 16), 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 20ns,

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AS7C4098A-20JCN

AS7C4098A-20JCN

부품 재고: 17714

메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: SRAM, 과학 기술: SRAM - Asynchronous, 메모리 크기: 4Mb (256K x 16), 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 20ns,

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AS7C4096A-20TCN

AS7C4096A-20TCN

부품 재고: 17759

메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: SRAM, 과학 기술: SRAM - Asynchronous, 메모리 크기: 4Mb (512K x 8), 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 20ns,

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AS7C34098A-20JCN

AS7C34098A-20JCN

부품 재고: 17736

메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: SRAM, 과학 기술: SRAM - Asynchronous, 메모리 크기: 4Mb (256K x 16), 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 20ns,

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AS7C4096A-20TIN

AS7C4096A-20TIN

부품 재고: 17778

메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: SRAM, 과학 기술: SRAM - Asynchronous, 메모리 크기: 4Mb (512K x 8), 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 20ns,

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AS7C4096A-20JIN

AS7C4096A-20JIN

부품 재고: 17715

메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: SRAM, 과학 기술: SRAM - Asynchronous, 메모리 크기: 4Mb (512K x 8), 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 20ns,

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AS7C34096A-20TIN

AS7C34096A-20TIN

부품 재고: 17746

메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: SRAM, 과학 기술: SRAM - Asynchronous, 메모리 크기: 4Mb (512K x 8), 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 20ns,

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AS7C34096A-20JCN

AS7C34096A-20JCN

부품 재고: 17726

메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: SRAM, 과학 기술: SRAM - Asynchronous, 메모리 크기: 4Mb (512K x 8), 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 20ns,

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AS7C4096A-20JCN

AS7C4096A-20JCN

부품 재고: 17712

메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: SRAM, 과학 기술: SRAM - Asynchronous, 메모리 크기: 4Mb (512K x 8), 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 20ns,

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AS7C34098A-20TCN

AS7C34098A-20TCN

부품 재고: 17779

메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: SRAM, 과학 기술: SRAM - Asynchronous, 메모리 크기: 4Mb (256K x 16), 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 20ns,

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AS7C34096A-20JIN

AS7C34096A-20JIN

부품 재고: 17785

메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: SRAM, 과학 기술: SRAM - Asynchronous, 메모리 크기: 4Mb (512K x 8), 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 20ns,

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AS7C4098A-20TIN

AS7C4098A-20TIN

부품 재고: 17762

메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: SRAM, 과학 기술: SRAM - Asynchronous, 메모리 크기: 4Mb (256K x 16), 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 20ns,

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AS7C4098A-20TCN

AS7C4098A-20TCN

부품 재고: 17741

메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: SRAM, 과학 기술: SRAM - Asynchronous, 메모리 크기: 4Mb (256K x 16), 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 20ns,

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AS7C34096A-20TCN

AS7C34096A-20TCN

부품 재고: 17797

메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: SRAM, 과학 기술: SRAM - Asynchronous, 메모리 크기: 4Mb (512K x 8), 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 20ns,

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AS7C4098A-20JIN

AS7C4098A-20JIN

부품 재고: 17730

메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: SRAM, 과학 기술: SRAM - Asynchronous, 메모리 크기: 4Mb (256K x 16), 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 20ns,

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AS4C128M16D3LB-12BCNTR

AS4C128M16D3LB-12BCNTR

부품 재고: 17302

메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: DRAM, 과학 기술: SDRAM - DDR3L, 메모리 크기: 2Gb (128M x 16), 클록 주파수: 800MHz, 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns,

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AS4C128M8D2A-25BINTR

AS4C128M8D2A-25BINTR

부품 재고: 102

메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: DRAM, 과학 기술: SDRAM - DDR2, 메모리 크기: 1Gb (128M x 8), 클록 주파수: 400MHz, 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns,

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AS4C128M8D3LB-12BINTR

AS4C128M8D3LB-12BINTR

부품 재고: 131

메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: DRAM, 과학 기술: SDRAM - DDR3L, 메모리 크기: 1Gb (128M x 8), 클록 주파수: 800MHz, 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns,

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AS4C128M8D2-25BINTR

AS4C128M8D2-25BINTR

부품 재고: 17288

메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: DRAM, 과학 기술: SDRAM - DDR2, 메모리 크기: 1Gb (128M x 8), 클록 주파수: 400MHz, 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns,

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AS4C128M8D3B-12BINTR

AS4C128M8D3B-12BINTR

부품 재고: 134

메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: DRAM, 과학 기술: SDRAM - DDR3, 메모리 크기: 1Gb (128M x 8), 클록 주파수: 800MHz, 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns,

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AS4C128M16D3B-12BCNTR

AS4C128M16D3B-12BCNTR

부품 재고: 17253

메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: DRAM, 과학 기술: SDRAM - DDR3, 메모리 크기: 2Gb (128M x 16), 클록 주파수: 800MHz, 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns,

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AS4C16M16MSA-6BINTR

AS4C16M16MSA-6BINTR

부품 재고: 72

메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: DRAM, 과학 기술: SDRAM - Mobile SDRAM, 메모리 크기: 256Mb (16M x 16), 클록 주파수: 166MHz,

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