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AS4C8M32S-7TCN

AS4C8M32S-7TCN

부품 재고: 12318

메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: DRAM, 과학 기술: SDRAM, 메모리 크기: 256Mb (8M x 32), 클록 주파수: 143MHz,

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AS4C64M16D3LA-12BCN

AS4C64M16D3LA-12BCN

부품 재고: 14967

메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: DRAM, 과학 기술: SDRAM - DDR3L, 메모리 크기: 1Gb (64M x 16), 클록 주파수: 800MHz, 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns,

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AS6C8008A-45BIN

AS6C8008A-45BIN

부품 재고: 14986

메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: SRAM, 과학 기술: SRAM - Asynchronous, 메모리 크기: 8Mb (1M x 8), 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 45ns,

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AS6C8016-55BINTR

AS6C8016-55BINTR

부품 재고: 15069

메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: SRAM, 과학 기술: SRAM - Asynchronous, 메모리 크기: 8Mb (512K x 16), 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 55ns,

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AS6C8008-55BINTR

AS6C8008-55BINTR

부품 재고: 15123

메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: SRAM, 과학 기술: SRAM - Asynchronous, 메모리 크기: 8Mb (1M x 8), 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 55ns,

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AS4C64M16MD1A-5BINTR

AS4C64M16MD1A-5BINTR

부품 재고: 147

메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: DRAM, 과학 기술: SDRAM - Mobile LPDDR, 메모리 크기: 1Gb (64M x 16), 클록 주파수: 200MHz, 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns,

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AS4C128M16D3LB-12BINTR

AS4C128M16D3LB-12BINTR

부품 재고: 124

메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: DRAM, 과학 기술: SDRAM - DDR3L, 메모리 크기: 2Gb (128M x 16), 클록 주파수: 800MHz, 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns,

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AS4C128M8D2A-25BIN

AS4C128M8D2A-25BIN

부품 재고: 99

메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: DRAM, 과학 기술: SDRAM - DDR2, 메모리 크기: 1Gb (128M x 8), 클록 주파수: 400MHz, 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns,

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AS4C128M8D3A-12BCN

AS4C128M8D3A-12BCN

부품 재고: 15287

메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: DRAM, 과학 기술: SDRAM - DDR3, 메모리 크기: 1Gb (128M x 8), 클록 주파수: 800MHz, 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns,

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AS4C4M32MSA-6BIN

AS4C4M32MSA-6BIN

부품 재고: 1155

메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: DRAM, 과학 기술: SDRAM - Mobile, 메모리 크기: 128Mb (4M x 32), 클록 주파수: 166MHz,

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AS6C4008-55PCN

AS6C4008-55PCN

부품 재고: 15351

메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: SRAM, 과학 기술: SRAM - Asynchronous, 메모리 크기: 4Mb (512K x 8), 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 55ns,

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AS4C256M8D3LB-12BINTR

AS4C256M8D3LB-12BINTR

부품 재고: 163

메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: DRAM, 과학 기술: SDRAM - DDR3L, 메모리 크기: 2Gb (256M x 8), 클록 주파수: 800MHz, 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns,

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AS7C34098A-12JCN

AS7C34098A-12JCN

부품 재고: 17708

메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: SRAM, 과학 기술: SRAM - Asynchronous, 메모리 크기: 4Mb (256K x 16), 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 12ns,

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AS7C34096A-10TCN

AS7C34096A-10TCN

부품 재고: 17793

메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: SRAM, 과학 기술: SRAM - Asynchronous, 메모리 크기: 4Mb (512K x 8), 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 10ns,

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AS7C34096A-12TCN

AS7C34096A-12TCN

부품 재고: 17752

메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: SRAM, 과학 기술: SRAM - Asynchronous, 메모리 크기: 4Mb (512K x 8), 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 12ns,

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AS7C4096A-15TIN

AS7C4096A-15TIN

부품 재고: 17745

메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: SRAM, 과학 기술: SRAM - Asynchronous, 메모리 크기: 4Mb (512K x 8), 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns,

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AS7C4098A-12TIN

AS7C4098A-12TIN

부품 재고: 17777

메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: SRAM, 과학 기술: SRAM - Asynchronous, 메모리 크기: 4Mb (256K x 16), 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 12ns,

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AS7C4098A-12TCN

AS7C4098A-12TCN

부품 재고: 17710

메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: SRAM, 과학 기술: SRAM - Asynchronous, 메모리 크기: 4Mb (256K x 16), 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 12ns,

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AS7C34098A-10BIN

AS7C34098A-10BIN

부품 재고: 17844

메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: SRAM, 과학 기술: SRAM - Asynchronous, 메모리 크기: 4Mb (256K x 16), 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 10ns,

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AS4C64M16D3LB-12BCN

AS4C64M16D3LB-12BCN

부품 재고: 425

메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: DRAM, 과학 기술: SDRAM - DDR3L, 메모리 크기: 1Gb (64M x 16), 클록 주파수: 800MHz, 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns,

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AS7C32098A-10TIN

AS7C32098A-10TIN

부품 재고: 15648

메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: SRAM, 과학 기술: SRAM - Asynchronous, 메모리 크기: 2Mb (128K x 16), 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 10ns,

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AS4C32M16D2A-25BAN

AS4C32M16D2A-25BAN

부품 재고: 15689

메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: DRAM, 과학 기술: SDRAM - DDR2, 메모리 크기: 512Mb (32M x 16), 클록 주파수: 400MHz, 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns,

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AS4C64M16D2A-25BCN

AS4C64M16D2A-25BCN

부품 재고: 16083

메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: DRAM, 과학 기술: SDRAM - DDR2, 메모리 크기: 1Gb (64M x 16), 클록 주파수: 400MHz, 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns,

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AS4C64M8D2-25BCN

AS4C64M8D2-25BCN

부품 재고: 16030

메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: DRAM, 과학 기술: SDRAM - DDR2, 메모리 크기: 512Mb (64M x 8), 클록 주파수: 400MHz, 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns,

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AS7C34096B-10BIN

AS7C34096B-10BIN

부품 재고: 964

메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: SRAM, 과학 기술: SRAM - Asynchronous, 메모리 크기: 4Mb (512K x 8), 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 10ns,

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AS4C8M16SA-6BIN

AS4C8M16SA-6BIN

부품 재고: 16758

메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: DRAM, 과학 기술: SDRAM, 메모리 크기: 128Mb (8M x 16), 클록 주파수: 166MHz, 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 12ns,

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AS4C64M16D3LB-12BANTR

AS4C64M16D3LB-12BANTR

부품 재고: 57

메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: DRAM, 과학 기술: SDRAM - DDR3L, 메모리 크기: 1Gb (64M x 16), 클록 주파수: 800MHz, 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns,

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AS4C64M16D3B-12BANTR

AS4C64M16D3B-12BANTR

부품 재고: 66

메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: DRAM, 과학 기술: SDRAM - DDR3, 메모리 크기: 1Gb (64M x 16), 클록 주파수: 800MHz, 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns,

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AS6C8016A-55ZIN

AS6C8016A-55ZIN

부품 재고: 16342

메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: SRAM, 과학 기술: SRAM - Asynchronous, 메모리 크기: 8Mb (512K x 16), 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 55ns,

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AS4C16M32MD1-5BCN

AS4C16M32MD1-5BCN

부품 재고: 16436

메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: DRAM, 과학 기술: SDRAM - Mobile LPDDR, 메모리 크기: 512Mb (16M x 32), 클록 주파수: 200MHz, 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns,

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AS4C8M32S-7TCNTR

AS4C8M32S-7TCNTR

부품 재고: 108

메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: DRAM, 과학 기술: SDRAM, 메모리 크기: 256Mb (8M x 32), 클록 주파수: 143MHz,

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AS4C64M16D2A-25BANTR

AS4C64M16D2A-25BANTR

부품 재고: 71

메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: DRAM, 과학 기술: SDRAM - DDR2, 메모리 크기: 1Gb (64M x 16), 클록 주파수: 400MHz, 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns,

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AS4C256M8D3LB-12BCNTR

AS4C256M8D3LB-12BCNTR

부품 재고: 152

메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: DRAM, 과학 기술: SDRAM - DDR3L, 메모리 크기: 2Gb (256M x 8), 클록 주파수: 800MHz, 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns,

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AS4C64M16D3B-12BIN

AS4C64M16D3B-12BIN

부품 재고: 106

메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: DRAM, 과학 기술: SDRAM - DDR3, 메모리 크기: 1Gb (64M x 16), 클록 주파수: 800MHz, 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns,

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AS4C64M16D3LB-12BIN

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부품 재고: 70

메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: DRAM, 과학 기술: SDRAM - DDR3L, 메모리 크기: 1Gb (64M x 16), 클록 주파수: 800MHz, 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns,

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AS4C32M16MSA-6BINTR

AS4C32M16MSA-6BINTR

부품 재고: 72

메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: DRAM, 과학 기술: SDRAM - Mobile SDRAM, 메모리 크기: 512Mb (32M x 16), 클록 주파수: 166MHz,

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