다이오드 유형: Single Phase, 과학 기술: Silicon Carbide Schottky, 전압-피크 역방향 (최대): 600V, 전류-평균 정류 (Io): 10A, 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.7V @ 10A, 전류-역방향 누설 @ Vr: 100µA @ 600V,
다이오드 유형: Single Phase, 과학 기술: Silicon Carbide Schottky, 전압-피크 역방향 (최대): 1.2kV, 전류-평균 정류 (Io): 45A, 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.7V @ 45A, 전류-역방향 누설 @ Vr: 300µA @ 1200V,
다이오드 유형: Single Phase, 과학 기술: Silicon Carbide Schottky, 전압-피크 역방향 (최대): 1.2kV, 전류-평균 정류 (Io): 15A, 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.7V @ 15A, 전류-역방향 누설 @ Vr: 100µA @ 1200V,
다이오드 유형: Single Phase, 과학 기술: Silicon Carbide Schottky, 전압-피크 역방향 (최대): 600V, 전류-평균 정류 (Io): 20A, 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.7V @ 20A, 전류-역방향 누설 @ Vr: 200µA @ 600V,
다이오드 유형: Single Phase, 과학 기술: Silicon Carbide Schottky, 전압-피크 역방향 (최대): 600V, 전류-평균 정류 (Io): 30A, 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.7V @ 30A, 전류-역방향 누설 @ Vr: 100µA @ 600V,
다이오드 유형: Single Phase, 과학 기술: Silicon Carbide Schottky, 전압-피크 역방향 (최대): 1.2kV, 전류-평균 정류 (Io): 30A, 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.7V @ 30A, 전류-역방향 누설 @ Vr: 200µA @ 1200V,
