다이오드 구성: 2 Independent, 다이오드 유형: Schottky, 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 60V, 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 30A, 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 750mV @ 30A, 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),
다이오드 구성: 2 Independent, 다이오드 유형: Silicon Carbide Schottky, 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 600V, 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 50A, 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.8V @ 50A, 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),
다이오드 구성: 2 Independent, 다이오드 유형: Silicon Carbide Schottky, 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 1200V, 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 60A, 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.7V @ 60A, 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),
다이오드 구성: 2 Independent, 다이오드 유형: Standard, 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 1200V, 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 30A, 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 2.35V @ 30A, 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),
다이오드 구성: 2 Independent, 다이오드 유형: Standard, 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 200V, 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 60A, 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1V @ 60A, 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),
다이오드 구성: 2 Independent, 다이오드 유형: Silicon Carbide Schottky, 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 600V, 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 20A, 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.7V @ 20A, 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),
다이오드 구성: 1 Pair Common Cathode, 다이오드 유형: Silicon Carbide Schottky, 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 600V, 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 30A (DC), 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.65V @ 10A, 속도: No Recovery Time > 500mA (Io),
다이오드 구성: 2 Independent, 다이오드 유형: Schottky, 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 120V, 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 120A, 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 880mV @ 120A, 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),
다이오드 구성: 2 Independent, 다이오드 유형: Silicon Carbide Schottky, 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 1200V, 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 30A, 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.7V @ 30A, 속도: No Recovery Time > 500mA (Io),
다이오드 구성: 2 Independent, 다이오드 유형: Silicon Carbide Schottky, 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 1200V, 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 15A, 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.7V @ 15A, 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),
다이오드 구성: 2 Independent, 다이오드 유형: Silicon Carbide Schottky, 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 600V, 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 30A, 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.7V @ 3A, 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),
다이오드 구성: 2 Independent, 다이오드 유형: Silicon Carbide Schottky, 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 1200V, 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 45A, 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.7V @ 45A, 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),
다이오드 구성: 2 Independent, 다이오드 유형: Standard, 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 600V, 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 60A, 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.5V @ 60A, 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),
다이오드 구성: 2 Independent, 다이오드 유형: Silicon Carbide Schottky, 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 600V, 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 10A, 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.7V @ 10A, 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),
다이오드 구성: 2 Independent, 다이오드 유형: Standard, 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 400V, 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 30A, 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.3V @ 30A, 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),
다이오드 구성: 1 Pair Common Cathode, 다이오드 유형: Silicon Carbide Schottky, 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 600V, 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 36A (DC), 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.65V @ 12A, 속도: No Recovery Time > 500mA (Io),
다이오드 구성: 2 Independent, 다이오드 유형: Standard, 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 600V, 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 30A, 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.5V @ 30A, 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),
다이오드 구성: 1 Pair Common Cathode, 다이오드 유형: Silicon Carbide Schottky, 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 1200V, 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 24A (DC), 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.8V @ 8A, 속도: No Recovery Time > 500mA (Io),
다이오드 구성: 2 Independent, 다이오드 유형: Standard, 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 600V, 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 120A, 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.5V @ 120A, 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),
다이오드 구성: 2 Independent, 다이오드 유형: Silicon Carbide Schottky, 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 600V, 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 30A, 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.7V @ 30A, 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),
다이오드 구성: 2 Independent, 다이오드 유형: Schottky, 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 80V, 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 30A, 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 840mV @ 30A, 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),
다이오드 구성: 2 Independent, 다이오드 유형: Silicon Carbide Schottky, 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 1200V, 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 60A, 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.7V @ 60A, 속도: No Recovery Time > 500mA (Io),
다이오드 구성: 2 Independent, 다이오드 유형: Schottky, 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 45V, 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 30A, 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 700mV @ 30A, 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),
다이오드 구성: 2 Independent, 다이오드 유형: Schottky, 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 150V, 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 120A, 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 880mV @ 120A, 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),
다이오드 구성: 2 Independent, 다이오드 유형: Standard, 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 200V, 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 120A, 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1V @ 100A, 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),
다이오드 구성: 2 Independent, 다이오드 유형: Standard, 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 1200V, 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 100A, 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 2.35V @ 100A, 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),
다이오드 구성: 2 Independent, 다이오드 유형: Schottky, 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 80V, 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 120A, 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 840mV @ 120A, 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),
다이오드 구성: 2 Independent, 다이오드 유형: Standard, 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 400V, 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 60A, 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.3V @ 60A, 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),
다이오드 구성: 2 Independent, 다이오드 유형: Schottky, 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 60V, 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 100A, 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 750mV @ 100A, 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),
다이오드 구성: 2 Independent, 다이오드 유형: Schottky, 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 100V, 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 120A, 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 840mV @ 120A, 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),
다이오드 구성: 2 Independent, 다이오드 유형: Schottky, 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 80V, 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 50A, 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 840mV @ 50A, 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),
다이오드 구성: 2 Independent, 다이오드 유형: Standard, 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 1000V, 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 60A, 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 2.35V @ 60A, 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),
다이오드 구성: 2 Independent, 다이오드 유형: Schottky, 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 80V, 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 80A, 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 840mV @ 80A, 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),
