다이오드 유형: Standard, 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 1400V, 전류-평균 정류 (Io): 25A, 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.55V @ 60A, 속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),
다이오드 유형: Standard, 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 1600V, 전류-평균 정류 (Io): 25A, 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.55V @ 60A, 속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),
다이오드 유형: Standard, 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 400V, 전류-평균 정류 (Io): 25A, 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.55V @ 60A, 속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),
다이오드 유형: Standard, 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 800V, 전류-평균 정류 (Io): 25A, 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.55V @ 60A, 속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),
다이오드 유형: Silicon Carbide Schottky, 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 1200V, 전류-평균 정류 (Io): 5A, 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.8V @ 2A, 속도: No Recovery Time > 500mA (Io), 역 회복 시간 (trr): 0ns,
다이오드 유형: Standard, 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 1200V, 전류-평균 정류 (Io): 25A, 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.55V @ 60A, 속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),
다이오드 유형: Silicon Carbide Schottky, 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 1200V, 전류-평균 정류 (Io): 10A, 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.8V @ 10A, 속도: No Recovery Time > 500mA (Io), 역 회복 시간 (trr): 0ns,
다이오드 유형: Schottky, 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 30V, 전류-평균 정류 (Io): 300A, 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 580mV @ 300A, 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),
다이오드 유형: Schottky, 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 20V, 전류-평균 정류 (Io): 300A, 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 580mV @ 300A, 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),
다이오드 유형: Schottky, 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 45V, 전류-평균 정류 (Io): 200A, 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 600mV @ 200A, 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),
다이오드 유형: Silicon Carbide Schottky, 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 3300V, 전류-평균 정류 (Io): 300mA, 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.7V @ 300mA, 속도: No Recovery Time > 500mA (Io), 역 회복 시간 (trr): 0ns,
다이오드 유형: Schottky, Reverse Polarity, 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 30V, 전류-평균 정류 (Io): 200A, 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 580mV @ 200A, 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),
다이오드 유형: Silicon Carbide Schottky, 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 1200V, 전류-평균 정류 (Io): 1A, 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.8V @ 1A, 속도: No Recovery Time > 500mA (Io), 역 회복 시간 (trr): 0ns,
다이오드 유형: Schottky, 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 40V, 전류-평균 정류 (Io): 200A, 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 600mV @ 200A, 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),
다이오드 유형: Silicon Carbide Schottky, 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 1200V, 전류-평균 정류 (Io): 2.5A, 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.8V @ 1A, 속도: No Recovery Time > 500mA (Io), 역 회복 시간 (trr): 0ns,
다이오드 유형: Silicon Carbide Schottky, 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 1200V, 전류-평균 정류 (Io): 5A (DC), 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.8V @ 2A, 속도: No Recovery Time > 500mA (Io), 역 회복 시간 (trr): 0ns,
다이오드 유형: Silicon Carbide Schottky, 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 1200V, 전류-평균 정류 (Io): 10A, 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 2V @ 10A, 속도: No Recovery Time > 500mA (Io), 역 회복 시간 (trr): 0ns,
