트랜지스터-FET, MOSFET-단일

2N7639-GA

부품 재고: 318

과학 기술: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor), 드레인-소스 전압 (Vdss): 650V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 15A (Tc) (155°C), Rds On (최대) @ Id, Vgs: 105 mOhm @ 15A,

2N7638-GA

부품 재고: 339

과학 기술: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor), 드레인-소스 전압 (Vdss): 650V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8A (Tc) (158°C), Rds On (최대) @ Id, Vgs: 170 mOhm @ 8A,

2N7637-GA

부품 재고: 369

과학 기술: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor), 드레인-소스 전압 (Vdss): 650V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7A (Tc) (165°C), Rds On (최대) @ Id, Vgs: 170 mOhm @ 7A,

2N7636-GA

부품 재고: 431

과학 기술: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor), 드레인-소스 전압 (Vdss): 650V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4A (Tc) (165°C), Rds On (최대) @ Id, Vgs: 415 mOhm @ 4A,

2N7635-GA

부품 재고: 376

과학 기술: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor), 드레인-소스 전압 (Vdss): 650V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4A (Tc) (165°C), Rds On (최대) @ Id, Vgs: 415 mOhm @ 4A,

2N7640-GA

부품 재고: 339

과학 기술: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor), 드레인-소스 전압 (Vdss): 650V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 16A (Tc) (155°C), Rds On (최대) @ Id, Vgs: 105 mOhm @ 16A,

GA10SICP12-263

부품 재고: 1777

과학 기술: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor), 드레인-소스 전압 (Vdss): 1200V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 25A (Tc), Rds On (최대) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 10A,

GA50JT06-258

부품 재고: 161

과학 기술: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor), 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Tc), Rds On (최대) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 50A,

GA05JT03-46

부품 재고: 1073

과학 기술: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor), 드레인-소스 전압 (Vdss): 300V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9A (Tc), Rds On (최대) @ Id, Vgs: 240 mOhm @ 5A,

GA50JT12-247

부품 재고: 733

과학 기술: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor), 드레인-소스 전압 (Vdss): 1200V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Tc), Rds On (최대) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 50A,

GA05JT01-46

부품 재고: 1236

과학 기술: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor), 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9A (Tc), Rds On (최대) @ Id, Vgs: 240 mOhm @ 5A,

GA04JT17-247

부품 재고: 2389

과학 기술: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor), 드레인-소스 전압 (Vdss): 1700V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4A (Tc) (95°C), Rds On (최대) @ Id, Vgs: 480 mOhm @ 4A,

GA08JT17-247

부품 재고: 1402

과학 기술: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor), 드레인-소스 전압 (Vdss): 1700V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8A (Tc) (90°C), Rds On (최대) @ Id, Vgs: 250 mOhm @ 8A,

GA20JT12-263

부품 재고: 1840

과학 기술: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor), 드레인-소스 전압 (Vdss): 1200V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 45A (Tc), Rds On (최대) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 20A,

GA10JT12-263

부품 재고: 3360

과학 기술: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor), 드레인-소스 전압 (Vdss): 1200V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 25A (Tc), Rds On (최대) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 10A,

GA05JT12-263

부품 재고: 5916

과학 기술: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor), 드레인-소스 전압 (Vdss): 1200V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 15A (Tc),

GA50JT12-263

부품 재고: 816

GA100JT17-227

부품 재고: 253

과학 기술: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor), 드레인-소스 전압 (Vdss): 1700V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 160A (Tc), Rds On (최대) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 100A,

GA100JT12-227

부품 재고: 460

과학 기술: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor), 드레인-소스 전압 (Vdss): 1200V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 160A (Tc), Rds On (최대) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 100A,

GA20JT12-247

부품 재고: 2717

과학 기술: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor), 드레인-소스 전압 (Vdss): 1200V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20A (Tc), Rds On (최대) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 20A,

GA16JT17-247

부품 재고: 925

과학 기술: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor), 드레인-소스 전압 (Vdss): 1700V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 16A (Tc) (90°C), Rds On (최대) @ Id, Vgs: 110 mOhm @ 16A,

GA10JT12-247

부품 재고: 3338

과학 기술: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor), 드레인-소스 전압 (Vdss): 1200V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10A (Tc), Rds On (최대) @ Id, Vgs: 140 mOhm @ 10A,

GA03JT12-247

부품 재고: 7277

과학 기술: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor), 드레인-소스 전압 (Vdss): 1200V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3A (Tc) (95°C), Rds On (최대) @ Id, Vgs: 460 mOhm @ 3A,

GA20SICP12-247

부품 재고: 1734

과학 기술: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor), 드레인-소스 전압 (Vdss): 1200V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 45A (Tc), Rds On (최대) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 20A,

GA50JT17-247

부품 재고: 438

과학 기술: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor), 드레인-소스 전압 (Vdss): 1700V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Tc), Rds On (최대) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 50A,

GA05JT12-247

부품 재고: 10854

과학 기술: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor), 드레인-소스 전압 (Vdss): 1200V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5A (Tc), Rds On (최대) @ Id, Vgs: 280 mOhm @ 5A,

GA06JT12-247

부품 재고: 6819

과학 기술: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor), 드레인-소스 전압 (Vdss): 1200V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A (Tc) (90°C), Rds On (최대) @ Id, Vgs: 220 mOhm @ 6A,