코어 유형: PLT, 갭: 3C90, 초기 투자율 (µi): PLT 58 x 38 x 4,
코어 유형: E, 갭: 3F36, 초기 투자율 (µi): E 42 x 21 x 20,
코어 유형: E, 갭: 3F36, 초기 투자율 (µi): E 25 x 13 x 11,
코어 유형: E, 갭: 3C94, 초기 투자율 (µi): E 25 x 13 x 11,
코어 유형: E, 갭: 3C96, 초기 투자율 (µi): E 16 x 8 x 5,
코어 유형: RM, 인덕턴스 계수 (Al): 400nH, 공차: ±3%, 갭: 3F4, 초기 투자율 (µi): RM 12,
코어 유형: E, 갭: 3C92, 초기 투자율 (µi): E 25 x 13 x 7,
코어 유형: PLT, 갭: 3C92, 초기 투자율 (µi): PLT 22 x 16 x 2.5,
코어 유형: E, 갭: 3C90, 초기 투자율 (µi): E 30 x 15 x 7,
코어 유형: U, 갭: 3C90, 초기 투자율 (µi): U 101 x 76 x 30,
코어 유형: E, 갭: 3F4, 초기 투자율 (µi): E 32 x 6 x 20,
코어 유형: ER, 인덕턴스 계수 (Al): 160nH, 공차: ±4%, 갭: 3C92, 초기 투자율 (µi): ER 14.5 x 3 x 7,
코어 유형: E, 초기 투자율 (µi): E 22 x 6 x 16,
코어 유형: E, 갭: 3C92, 초기 투자율 (µi): E 25 x 13 x 11,
코어 유형: E, 갭: 3F36, 초기 투자율 (µi): E 32 x 6 x 20,
코어 유형: ETD, 갭: 3C94, 초기 투자율 (µi): ETD 59 x 31 x 22,
코어 유형: ER, 갭: 3C94, 초기 투자율 (µi): ER 35 x 21 x 11,
코어 유형: E, 갭: 3C95, 초기 투자율 (µi): E 14 x 3.5 x 5,
코어 유형: RM, 인덕턴스 계수 (Al): 400nH, 공차: ±3%, 갭: 3C95, 초기 투자율 (µi): RM 8,
코어 유형: E, 갭: 3C90, 초기 투자율 (µi): E 13 x 7 x 4,
코어 유형: E, 갭: 3C96, 초기 투자율 (µi): E 58 x 11 x 38,
코어 유형: ER, 인덕턴스 계수 (Al): 100nH, 공차: ±5%, 갭: 3C92, 초기 투자율 (µi): ER 9.5 x 2.5 x 5,
코어 유형: EFD, 갭: 3F36, 초기 투자율 (µi): EFD 30 x 15 x 9,
코어 유형: RM, 인덕턴스 계수 (Al): 400nH, 공차: ±3%, 갭: 3F4, 초기 투자율 (µi): RM 14,
코어 유형: ER, 인덕턴스 계수 (Al): 63nH, 공차: ±3%, 갭: 3C95, 초기 투자율 (µi): ER 14.5 x 3 x 7,
코어 유형: ETD, 갭: 3C94, 초기 투자율 (µi): ETD 29 x 16 x 10,
코어 유형: E, 갭: 3C90, 초기 투자율 (µi): E 55 x 28 x 21,
코어 유형: EP, 갭: 3C90, 초기 투자율 (µi): EP 10,
코어 유형: EFD, 갭: 3C90, 초기 투자율 (µi): EFD 30 x 15 x 9,
코어 유형: PLT, 갭: 3C96, 초기 투자율 (µi): PLT 64 x 50 x 5,
코어 유형: ER, 갭: 3C96, 초기 투자율 (µi): ER 51 x 10 x 38,
코어 유형: ROD, 갭: 3C90, 유효 투과성 (µe): 12.00mm, 초기 투자율 (µi): ROD 12 x 40,
코어 유형: E, 갭: 3C94, 초기 투자율 (µi): E 55 x 28 x 25,
코어 유형: ETD, 갭: 3C90, 초기 투자율 (µi): ETD 44 x 22 x 15,
코어 유형: ER, 갭: 3F4, 초기 투자율 (µi): ER 64 x 13 x 51,
