코어 유형: PM, 인덕턴스 계수 (Al): 315nH, 공차: ±3%, 갭: N27, 유효 투과성 (µe): 62.00mm, 초기 투자율 (µi): PM 62 x 49,
코어 유형: E, 갭: N30, 초기 투자율 (µi): E 25 x 13 x 7,
코어 유형: Toroid, 인덕턴스 계수 (Al): 6.8µH, 공차: ±30%, 갭: T65, 유효 투과성 (µe): 31.00mm,
코어 유형: Toroid, 인덕턴스 계수 (Al): 13µH, 공차: ±25%, 갭: T37, 유효 투과성 (µe): 60.10mm,
코어 유형: E, 갭: N27, 초기 투자율 (µi): E 65 x 32 x 27,
코어 유형: PQ, 인덕턴스 계수 (Al): 4.8µH, 공차: -20%, +30%, 갭: N87, 초기 투자율 (µi): PQ 32 x 30,
코어 유형: ETD, 갭: N87, 초기 투자율 (µi): ETD 59 x 31 x 22,
코어 유형: P (Pot Core), 인덕턴스 계수 (Al): 6.4µH, 공차: -20%, +30%, 갭: N87, 유효 투과성 (µe): 30.50mm, 초기 투자율 (µi): P 30 x 19,
코어 유형: PQ, 인덕턴스 계수 (Al): 4.3µH, 공차: -20%, +30%, 갭: N87, 초기 투자율 (µi): PQ 40 x 40,
코어 유형: E, 갭: N27, 초기 투자율 (µi): E 70 x 33 x 32,
코어 유형: EC, 갭: N27, 초기 투자율 (µi): EC 70 x 35 x 16,
코어 유형: PQ, 인덕턴스 계수 (Al): 3.2µH, 공차: -20%, +30%, 갭: N49, 초기 투자율 (µi): PQ 40 x 40,
코어 유형: ETD, 갭: N87, 초기 투자율 (µi): ETD 49 x 25 x 16,
코어 유형: PQ, 인덕턴스 계수 (Al): 6.3µH, 공차: -20%, +30%, 갭: N87, 초기 투자율 (µi): PQ 32 x 20,
코어 유형: RM, 인덕턴스 계수 (Al): 5.3µH, 공차: -20%, +30%, 갭: N97, 초기 투자율 (µi): RM 12,
코어 유형: Toroid, 인덕턴스 계수 (Al): 12.6µH, 공차: ±30%, 갭: T65, 유효 투과성 (µe): 65.30mm,
코어 유형: PQ, 인덕턴스 계수 (Al): 4.5µH, 공차: -20%, +30%, 갭: N87, 초기 투자율 (µi): PQ 35 x 35,
코어 유형: Toroid, 인덕턴스 계수 (Al): 4.54µH, 공차: ±25%, 갭: N30, 유효 투과성 (µe): 32.10mm,
코어 유형: Toroid, 인덕턴스 계수 (Al): 2.76µH, 공차: ±25%, 갭: N87, 유효 투과성 (µe): 60.10mm,
코어 유형: E, 갭: N27, 초기 투자율 (µi): E 42 x 21 x 15,
코어 유형: ETD, 갭: N87, 초기 투자율 (µi): ETD 29 x 16 x 10,
코어 유형: Toroid, 인덕턴스 계수 (Al): 4.68µH, 공차: ±25%, 갭: N87, 유효 투과성 (µe): 26.60mm,
코어 유형: Toroid, 인덕턴스 계수 (Al): 3.59µH, 공차: ±25%, 갭: N87, 유효 투과성 (µe): 41.80mm,
코어 유형: RM, 갭: N87, 초기 투자율 (µi): RM 14,
코어 유형: Toroid, 인덕턴스 계수 (Al): 3.27µH, 공차: ±25%, 갭: N27, 유효 투과성 (µe): 41.80mm,
코어 유형: P (Pot Core), 인덕턴스 계수 (Al): 100nH, 공차: ±3%, 갭: M33, 유효 투과성 (µe): 18.40mm, 초기 투자율 (µi): P 18 x 11,
코어 유형: P (Pot Core), 인덕턴스 계수 (Al): 22µH, 공차: -30%, +40%, 갭: T38, 유효 투과성 (µe): 26.00mm, 초기 투자율 (µi): P 26 x 16,
코어 유형: RM, 인덕턴스 계수 (Al): 6µH, 공차: -20%, +30%, 갭: N87, 초기 투자율 (µi): RM 14,
코어 유형: ETD, 갭: N97, 초기 투자율 (µi): ETD 59 x 31 x 22,
코어 유형: ETD, 갭: N87, 초기 투자율 (µi): ETD 44 x 22 x 15,
코어 유형: PQ, 인덕턴스 계수 (Al): 6.7µH, 공차: -20%, +30%, 갭: N97, 초기 투자율 (µi): PQ 50 x 50,
갭: N49,
코어 유형: Toroid, 인덕턴스 계수 (Al): 2.79µH, 공차: ±25%, 갭: N87, 유효 투과성 (µe): 35.50mm,
코어 유형: RM, 인덕턴스 계수 (Al): 2.9µH, 공차: -20%, +30%, 갭: N48, 초기 투자율 (µi): RM 8,
코어 유형: Toroid, 인덕턴스 계수 (Al): 6.8µH, 공차: ±30%, 갭: T65, 유효 투과성 (µe): 37.50mm,
