코어 유형: RM, 갭: N87, 초기 투자율 (µi): RM 4 LP,
코어 유형: EP, 갭: N45,
코어 유형: TT, 갭: N30,
코어 유형: RM, 인덕턴스 계수 (Al): 63nH, 공차: ±3%, 갭: N48, 초기 투자율 (µi): RM 4,
코어 유형: Toroid, 인덕턴스 계수 (Al): 4.42µH, 공차: ±30%, 갭: T38, 유효 투과성 (µe): 15.10mm,
코어 유형: Toroid, 갭: T38,
코어 유형: RM, 인덕턴스 계수 (Al): 750nH, 공차: -20%, +30%, 갭: N49, 초기 투자율 (µi): RM 4,
코어 유형: Toroid, 인덕턴스 계수 (Al): 2.3µH, 공차: ±30%, 갭: T65, 유효 투과성 (µe): 15.10mm,
코어 유형: RM, 인덕턴스 계수 (Al): 1.3µH, 공차: -20%, +30%, 갭: N87, 초기 투자율 (µi): RM 4 LP,
코어 유형: RM, 갭: N48, 초기 투자율 (µi): RM 4 LP,
갭: N87,
코어 유형: RM, 인덕턴스 계수 (Al): 1µH, 공차: -20%, +30%, 갭: N92, 초기 투자율 (µi): RM 4 LP,
갭: N49,
코어 유형: I, 인덕턴스 계수 (Al): 6.3µH, 공차: ±25%, 갭: N97, 초기 투자율 (µi): I 32 x 3 x 20,
갭: N97,
갭: N92,
코어 유형: ELP, 갭: N92, 초기 투자율 (µi): ELP 32 x 6 x 20,
코어 유형: I, 인덕턴스 계수 (Al): 6.3µH, 공차: ±25%, 갭: N87, 초기 투자율 (µi): I 32 x 3 x 20,
코어 유형: RM, 인덕턴스 계수 (Al): 3.7µH, 공차: -20%, +30%, 갭: N49, 초기 투자율 (µi): RM 12,
코어 유형: PM, 인덕턴스 계수 (Al): 250nH, 공차: ±3%, 갭: N27, 유효 투과성 (µe): 50.00mm, 초기 투자율 (µi): PM 50 x 39,
코어 유형: Toroid, 인덕턴스 계수 (Al): 5.46µH, 공차: ±25%, 갭: N30, 유효 투과성 (µe): 34.00mm, 초기 투자율 (µi): R 34 x 20.5 x 12.5,
코어 유형: RM, 인덕턴스 계수 (Al): 12.5µH, 공차: -30%, +40%, 갭: T38, 초기 투자율 (µi): RM 8,
코어 유형: Toroid, 인덕턴스 계수 (Al): 8µH, 공차: ±25%, 갭: T37, 유효 투과성 (µe): 60.10mm,
코어 유형: PS, 갭: N22, 유효 투과성 (µe): 30.50mm, 초기 투자율 (µi): PS 30.5 x 10.2,
코어 유형: RM, 공차: -20%, +30%, 갭: N92,
코어 유형: RM, 인덕턴스 계수 (Al): 250nH, 공차: ±3%, 갭: N41, 초기 투자율 (µi): RM 14,
코어 유형: U, 갭: N87, 초기 투자율 (µi): U 93 x 76 x 20,
코어 유형: ETD, 갭: N87, 초기 투자율 (µi): ETD 59 x 31 x 22,
코어 유형: RM, 인덕턴스 계수 (Al): 6µH, 공차: -20%, +30%, 갭: N41, 초기 투자율 (µi): RM 12,
