트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 | 디스크리트 반도체 제품 | 1

EPC2105ENGRT

부품 재고: 13745

FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge), FET 기능: GaNFET (Gallium Nitride), 드레인-소스 전압 (Vdss): 80V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9.5A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 14.5 mOhm @ 20A, 5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 2.5mA,

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EPC

EPC2100

부품 재고: 18949

FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge), FET 기능: GaNFET (Gallium Nitride), 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10A (Ta), 40A (Ta), Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8.2 mOhm @ 25A, 5V, 2.1 mOhm @ 25A, 5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 4mA, 2.5V @ 16mA,

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EPC

EPC2104ENGRT

부품 재고: 13673

FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge), FET 기능: GaNFET (Gallium Nitride), 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 23A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6.3 mOhm @ 20A, 5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 5.5mA,

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EPC2101ENGRT

부품 재고: 13969

FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge), FET 기능: GaNFET (Gallium Nitride), 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9.5A, 38A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 11.5 mOhm @ 20A, 5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 2mA,

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EPC

EPC2103ENGRT

부품 재고: 13895

FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge), FET 기능: GaNFET (Gallium Nitride), 드레인-소스 전압 (Vdss): 80V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 23A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.5 mOhm @ 20A, 5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 7mA,

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EPC

EPC2111ENGRT

부품 재고: 43248

FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge), FET 기능: GaNFET (Gallium Nitride), 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 16A (Ta), Rds On (최대) @ Id, Vgs: 19 mOhm @ 15A, 5V, 8 mOhm @ 15A, 5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 5mA,

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EPC

EPC2101ENG

부품 재고: 2948

FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge), FET 기능: GaNFET (Gallium Nitride), 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9.5A, 38A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 11.5 mOhm @ 20A, 5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 2mA,

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EPC

EPC2100ENGRT

부품 재고: 14216

FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge), FET 기능: GaNFET (Gallium Nitride), 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10A (Ta), 40A (Ta), Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8.2 mOhm @ 25A, 5V, 2.1 mOhm @ 25A, 5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 4mA, 2.5V @ 16mA,

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EPC

EPC2106ENGRT

부품 재고: 88131

FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge), FET 기능: GaNFET (Gallium Nitride), 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.7A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 2A, 5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 600µA,

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EPC

EPC2102ENGRT

부품 재고: 14073

FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge), FET 기능: GaNFET (Gallium Nitride), 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 23A (Tj), Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.4 mOhm @ 20A, 5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 7mA,

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EPC

EPC2103

부품 재고: 23026

FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge), FET 기능: GaNFET (Gallium Nitride), 드레인-소스 전압 (Vdss): 80V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 28A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.5 mOhm @ 20A, 5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 7mA,

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EPC

EPC2105

부품 재고: 24303

FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge), FET 기능: GaNFET (Gallium Nitride), 드레인-소스 전압 (Vdss): 80V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9.5A, 38A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 14.5 mOhm @ 20A, 5V, 3.4 mOhm @ 20A, 5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 2.5mA, 2.5V @ 10mA,

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EPC

EPC2100ENG

부품 재고: 2900

FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge), FET 기능: GaNFET (Gallium Nitride), 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10A (Ta), 40A (Ta), Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8.2 mOhm @ 25A, 5V, 2.1 mOhm @ 25A, 5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 4mA, 2.5V @ 16mA,

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EPC

EPC2105ENG

부품 재고: 2911

FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge), FET 기능: GaNFET (Gallium Nitride), 드레인-소스 전압 (Vdss): 80V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9.5A, 38A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 14.5 mOhm @ 20A, 5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 2.5mA,

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EPC

EPC2103ENG

부품 재고: 2868

FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge), FET 기능: GaNFET (Gallium Nitride), 드레인-소스 전압 (Vdss): 80V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 23A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.5 mOhm @ 20A, 5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 7mA,

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EPC

EPC2104

부품 재고: 24318

FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge), FET 기능: GaNFET (Gallium Nitride), 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 23A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6.3 mOhm @ 20A, 5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 5.5mA,

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EPC

EPC2106

부품 재고: 24307

FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge), FET 기능: GaNFET (Gallium Nitride), 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.7A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 2A, 5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 600µA,

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EPC

EPC2102ENG

부품 재고: 2960

FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge), FET 기능: GaNFET (Gallium Nitride), 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 23A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.4 mOhm @ 20A, 5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 7mA,

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EPC

EPC2102

부품 재고: 24374

FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge), FET 기능: GaNFET (Gallium Nitride), 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 23A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.4 mOhm @ 20A, 5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 7mA,

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EPC

EPC2104ENG

부품 재고: 2913

FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge), FET 기능: GaNFET (Gallium Nitride), 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 23A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6.3 mOhm @ 20A, 5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 5.5mA,

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EPC

EPC2107ENGRT

부품 재고: 82626

FET 유형: 3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap), FET 기능: GaNFET (Gallium Nitride), 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.7A, 500mA, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 320 mOhm @ 2A, 5V, 3.3 Ohm @ 2A, 5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA,

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EPC

EPC2107

부품 재고: 79571

FET 유형: 3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap), FET 기능: GaNFET (Gallium Nitride), 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.7A, 500mA, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 320 mOhm @ 2A, 5V, 3.3 Ohm @ 2A, 5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA,

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EPC

EPC2111

부품 재고: 48430

FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge), FET 기능: GaNFET (Gallium Nitride), 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 16A (Ta), Rds On (최대) @ Id, Vgs: 19 mOhm @ 15A, 5V, 8 mOhm @ 15A, 5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 5mA,

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EPC

EPC2110ENGRT

부품 재고: 67578

FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Common Source, FET 기능: GaNFET (Gallium Nitride), 드레인-소스 전압 (Vdss): 120V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.4A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 4A, 5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 700µA,

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EPC

EPC2101

부품 재고: 21570

FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge), FET 기능: GaNFET (Gallium Nitride), 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9.5A, 38A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 11.5 mOhm @ 20A, 5V, 2.7 mOhm @ 20A, 5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 3mA, 2.5V @ 12mA,

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EPC

EPC2110

부품 재고: 26911

FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Common Source, FET 기능: GaNFET (Gallium Nitride), 드레인-소스 전압 (Vdss): 120V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.4A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 4A, 5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 700µA,

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EPC

EPC2108

부품 재고: 83651

FET 유형: 3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap), FET 기능: GaNFET (Gallium Nitride), 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V, 100V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.7A, 500mA, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 190 mOhm @ 2.5A, 5V, 3.3 Ohm @ 2.5A, 5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA,

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