트랜지스터-FET, MOSFET-단일

집
트랜지스터-FET, MOSFET-단일

EPC2001

부품 재고: 18487

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: GaNFET (Gallium Nitride), 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 25A (Ta), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 5V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7 mOhm @ 25A, 5V,

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EPC2049ENGRT

부품 재고: 4397

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: GaNFET (Gallium Nitride), 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 16A (Ta), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 5V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 15A, 5V,

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EPC2021

부품 재고: 14286

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: GaNFET (Gallium Nitride), 드레인-소스 전압 (Vdss): 80V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 90A (Ta), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 5V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.5 mOhm @ 29A, 5V,

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EPC2025

부품 재고: 1945

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: GaNFET (Gallium Nitride), 드레인-소스 전압 (Vdss): 300V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4A (Ta), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 5V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 150 mOhm @ 3A, 5V,

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EPC2031

부품 재고: 8638

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: GaNFET (Gallium Nitride), 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 31A (Ta), Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.6 mOhm @ 30A, 5V,

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EPC2018

부품 재고: 8926

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: GaNFET (Gallium Nitride), 드레인-소스 전압 (Vdss): 150V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12A (Ta), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 5V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 6A, 5V,

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EPC2016

부품 재고: 50068

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: GaNFET (Gallium Nitride), 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11A (Ta), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 5V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 16 mOhm @ 11A, 5V,

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EPC2051ENGRT

부품 재고: 10801

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: GaNFET (Gallium Nitride), 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.7A, 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 5V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 3A, 5V,

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EPC8004

부품 재고: 28614

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: GaNFET (Gallium Nitride), 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.7A (Ta), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 5V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 110 mOhm @ 500mA, 5V,

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EPC8009

부품 재고: 27880

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: GaNFET (Gallium Nitride), 드레인-소스 전압 (Vdss): 65V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.7A (Ta), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 5V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 130 mOhm @ 500mA, 5V,

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EPC2030ENGRT

부품 재고: 16295

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: GaNFET (Gallium Nitride), 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 31A (Ta), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 5V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.4 mOhm @ 30A, 5V,

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EPC2007

부품 재고: 69589

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: GaNFET (Gallium Nitride), 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A (Ta), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 5V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 6A, 5V,

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EPC2015

부품 재고: 18703

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: GaNFET (Gallium Nitride), 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 33A (Ta), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 5V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4 mOhm @ 33A, 5V,

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EPC2031ENGRT

부품 재고: 17048

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: GaNFET (Gallium Nitride), 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 31A (Ta), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 5V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.6 mOhm @ 30A, 5V,

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EPC2012

부품 재고: 54098

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: GaNFET (Gallium Nitride), 드레인-소스 전압 (Vdss): 200V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3A (Ta), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 5V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 3A, 5V,

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EPC2010

부품 재고: 9929

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: GaNFET (Gallium Nitride), 드레인-소스 전압 (Vdss): 200V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12A (Ta), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 5V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 6A, 5V,

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EPC2022

부품 재고: 14027

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: GaNFET (Gallium Nitride), 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 60A (Ta), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 5V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.2 mOhm @ 25A, 5V,

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EPC2024

부품 재고: 14687

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: GaNFET (Gallium Nitride), 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 60A (Ta), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 5V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.5 mOhm @ 37A, 5V,

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EPC2033

부품 재고: 13722

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: GaNFET (Gallium Nitride), 드레인-소스 전압 (Vdss): 150V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 31A (Ta), Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7 mOhm @ 25A, 5V,

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EPC2032

부품 재고: 16483

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: GaNFET (Gallium Nitride), 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 48A (Ta), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 5V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4 mOhm @ 30A, 5V,

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EPC2020

부품 재고: 14515

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: GaNFET (Gallium Nitride), 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 90A (Ta), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 5V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.2 mOhm @ 31A, 5V,

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EPC2029

부품 재고: 16856

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: GaNFET (Gallium Nitride), 드레인-소스 전압 (Vdss): 80V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 48A (Ta), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 5V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.2 mOhm @ 30A, 5V,

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EPC2034

부품 재고: 7981

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: GaNFET (Gallium Nitride), 드레인-소스 전압 (Vdss): 200V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 48A (Ta), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 5V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 20A, 5V,

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EPC2035

부품 재고: 195456

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: GaNFET (Gallium Nitride), 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1A (Ta), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 5V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 1A, 5V,

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EPC2023

부품 재고: 18953

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: GaNFET (Gallium Nitride), 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 60A (Ta), Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.3 mOhm @ 40A, 5V,

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EPC2015C

부품 재고: 30169

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: GaNFET (Gallium Nitride), 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 53A (Ta), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 5V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4 mOhm @ 33A, 5V,

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EPC2014

부품 재고: 74091

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: GaNFET (Gallium Nitride), 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10A (Ta), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 5V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 16 mOhm @ 5A, 5V,

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EPC2030

부품 재고: 22960

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: GaNFET (Gallium Nitride), 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 31A (Ta), Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.4 mOhm @ 30A, 5V,

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EPC8010

부품 재고: 46864

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: GaNFET (Gallium Nitride), 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.7A (Ta), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 5V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 160 mOhm @ 500mA, 5V,

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EPC2045ENGRT

부품 재고: 26260

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: GaNFET (Gallium Nitride), 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 16A (Ta), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 5V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7 mOhm @ 16A, 5V,

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EPC2010C

부품 재고: 17919

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: GaNFET (Gallium Nitride), 드레인-소스 전압 (Vdss): 200V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 22A (Ta), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 5V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 12A, 5V,

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EPC2012C

부품 재고: 54040

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: GaNFET (Gallium Nitride), 드레인-소스 전압 (Vdss): 200V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5A (Ta), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 5V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 3A, 5V,

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EPC2001C

부품 재고: 31126

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: GaNFET (Gallium Nitride), 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 36A (Ta), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 5V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7 mOhm @ 25A, 5V,

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EPC2202

부품 재고: 48425

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: GaNFET (Gallium Nitride), 드레인-소스 전압 (Vdss): 80V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 18A, 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 5V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 17 mOhm @ 11A, 5V,

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EPC2019

부품 재고: 37744

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: GaNFET (Gallium Nitride), 드레인-소스 전압 (Vdss): 200V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8.5A (Ta), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 5V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 7A, 5V,

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EPC2007C

부품 재고: 74756

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: GaNFET (Gallium Nitride), 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A (Ta), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 5V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 6A, 5V,

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