커패시턴스 @ Vr, F: 25pF @ 4V, 50MHz, 전압-피크 역방향 (최대): 12V, 다이오드 유형: Single, Q @ Vr, F: 80 @ 4V, 50MHz,
커패시턴스 @ Vr, F: 23.1pF @ 2V, 1MHz, 커패시턴스 비율: 6.5, 커패시턴스 비율 조건: C2/C20, 전압-피크 역방향 (최대): 25V, 다이오드 유형: Single, Q @ Vr, F: 200 @ 3V, 50MHz,
커패시턴스 @ Vr, F: 4pF @ 4V, 50MHz, 전압-피크 역방향 (최대): 12V, 다이오드 유형: Single, Q @ Vr, F: 300 @ 4V, 50MHz,
커패시턴스 @ Vr, F: 15.75pF @ 2V, 1MHz, 커패시턴스 비율: 6, 커패시턴스 비율 조건: C2/C20, 전압-피크 역방향 (최대): 25V, 다이오드 유형: 1 Pair Common Cathode, Q @ Vr, F: 300 @ 3V, 50MHz,
커패시턴스 @ Vr, F: 7.5pF @ 4V, 1MHz, 커패시턴스 비율: 3.3, 커패시턴스 비율 조건: C2/C30, 전압-피크 역방향 (최대): 30V, 다이오드 유형: Single, Q @ Vr, F: 450 @ 4V, 50MHz,
커패시턴스 @ Vr, F: 49.35pF @ 2V, 1MHz, 커패시턴스 비율: 6.5, 커패시턴스 비율 조건: C2/C20, 전압-피크 역방향 (최대): 25V, 다이오드 유형: Single, Q @ Vr, F: 200 @ 3V, 50MHz,
커패시턴스 @ Vr, F: 24.2pF @ 2V, 1MHz, 커패시턴스 비율: 6.5, 커패시턴스 비율 조건: C2/C20, 전압-피크 역방향 (최대): 25V, 다이오드 유형: 1 Pair Common Cathode, Q @ Vr, F: 200 @ 3V, 50MHz,
커패시턴스 @ Vr, F: 15.75pF @ 2V, 1MHz, 커패시턴스 비율: 6, 커패시턴스 비율 조건: C2/C20, 전압-피크 역방향 (최대): 25V, 다이오드 유형: Single, Q @ Vr, F: 300 @ 3V, 50MHz,
커패시턴스 @ Vr, F: 34.65pF @ 2V, 1MHz, 커패시턴스 비율: 6.5, 커패시턴스 비율 조건: C2/C20, 전압-피크 역방향 (최대): 25V, 다이오드 유형: Single, Q @ Vr, F: 200 @ 3V, 50MHz,
커패시턴스 @ Vr, F: 36.3pF @ 4V, 1MHz, 커패시턴스 비율: 3.3, 커패시턴스 비율 조건: C2/C30, 전압-피크 역방향 (최대): 30V, 다이오드 유형: Single, Q @ Vr, F: 280 @ 4V, 50MHz,
커패시턴스 @ Vr, F: 16.5pF @ 2V, 1MHz, 커패시턴스 비율: 6, 커패시턴스 비율 조건: C2/C20, 전압-피크 역방향 (최대): 25V, 다이오드 유형: Single, Q @ Vr, F: 300 @ 3V, 50MHz,
커패시턴스 @ Vr, F: 11pF @ 2V, 1MHz, 커패시턴스 비율: 6, 커패시턴스 비율 조건: C2/C20, 전압-피크 역방향 (최대): 25V, 다이오드 유형: Single, Q @ Vr, F: 300 @ 3V, 50MHz,
커패시턴스 @ Vr, F: 24.2pF @ 2V, 1MHz, 커패시턴스 비율: 6.5, 커패시턴스 비율 조건: C2/C20, 전압-피크 역방향 (최대): 25V, 다이오드 유형: Single, Q @ Vr, F: 200 @ 3V, 50MHz,
커패시턴스 @ Vr, F: 25pF @ 3V, 1MHz, 커패시턴스 비율: 4.5, 커패시턴스 비율 조건: C3/C25, 전압-피크 역방향 (최대): 30V, 다이오드 유형: Single, Q @ Vr, F: 300 @ 3V, 50MHz,
커패시턴스 @ Vr, F: 5.5pF @ 4V, 50MHz, 전압-피크 역방향 (최대): 12V, 다이오드 유형: Single, Q @ Vr, F: 200 @ 4V, 50MHz,
커패시턴스 @ Vr, F: 12pF @ 4V, 50MHz, 전압-피크 역방향 (최대): 12V, 다이오드 유형: Single, Q @ Vr, F: 150 @ 4V, 50MHz,
커패시턴스 @ Vr, F: 10.5pF @ 2V, 1MHz, 커패시턴스 비율: 6, 커패시턴스 비율 조건: C2/C20, 전압-피크 역방향 (최대): 25V, 다이오드 유형: Single, Q @ Vr, F: 300 @ 3V, 50MHz,
커패시턴스 @ Vr, F: 51.7pF @ 2V, 1MHz, 커패시턴스 비율: 6.5, 커패시턴스 비율 조건: C2/C20, 전압-피크 역방향 (최대): 25V, 다이오드 유형: Single, Q @ Vr, F: 200 @ 3V, 50MHz,
커패시턴스 @ Vr, F: 13.2pF @ 4V, 1MHz, 커패시턴스 비율: 3.3, 커패시턴스 비율 조건: C2/C30, 전압-피크 역방향 (최대): 30V, 다이오드 유형: Single, Q @ Vr, F: 400 @ 4V, 50MHz,
커패시턴스 @ Vr, F: 8.61pF @ 2V, 1MHz, 커패시턴스 비율: 5.8, 커패시턴스 비율 조건: C2/C20, 전압-피크 역방향 (최대): 25V, 다이오드 유형: Single, Q @ Vr, F: 250 @ 3V, 50MHz,
커패시턴스 @ Vr, F: 74.8pF @ 2V, 1MHz, 커패시턴스 비율: 6.5, 커패시턴스 비율 조건: C2/C20, 전압-피크 역방향 (최대): 25V, 다이오드 유형: Single, Q @ Vr, F: 100 @ 3V, 50MHz,
커패시턴스 @ Vr, F: 15.7pF @ 1.5V, 1MHz, 커패시턴스 비율: 2, 커패시턴스 비율 조건: C0.5/C2.5, 전압-피크 역방향 (최대): 12V, 다이오드 유형: 1 Pair Common Cathode, Q @ Vr, F: 250 @ 0.5V, 50MHz,
커패시턴스 @ Vr, F: 71.4pF @ 2V, 1MHz, 커패시턴스 비율: 6.5, 커패시턴스 비율 조건: C2/C20, 전압-피크 역방향 (최대): 25V, 다이오드 유형: Single, Q @ Vr, F: 100 @ 3V, 50MHz,
