논리 유형: NAND Gate, 회로 수: 1, 입력 수: 2, 전압-공급: 1.65V ~ 5.5V, 전류-대기 (최대): 200µA,
논리 유형: XOR (Exclusive OR), 회로 수: 1, 입력 수: 2, 전압-공급: 1.65V ~ 5.5V, 전류-대기 (최대): 200µA,
논리 유형: Inverter, 회로 수: 1, 입력 수: 1, 전압-공급: 0.8V ~ 3.6V, 전류-대기 (최대): 500nA,
논리 유형: OR Gate, 회로 수: 1, 입력 수: 2, 전압-공급: 0.8V ~ 3.6V, 전류-대기 (최대): 500nA,
논리 유형: NOR Gate, 회로 수: 1, 입력 수: 2, 전압-공급: 1.65V ~ 5.5V, 전류-대기 (최대): 200µA,
논리 유형: NAND Gate, 회로 수: 1, 입력 수: 2, 전압-공급: 0.8V ~ 3.6V, 전류-대기 (최대): 500nA,
논리 유형: OR Gate, 회로 수: 1, 입력 수: 2, 전압-공급: 1.65V ~ 5.5V, 전류-대기 (최대): 200µA,
논리 유형: Inverter, 회로 수: 1, 입력 수: 1, 전압-공급: 1.65V ~ 5.5V, 전류-대기 (최대): 200µA,
논리 유형: AND Gate, 회로 수: 1, 입력 수: 2, 풍모: Open Drain, 전압-공급: 0.8V ~ 3.6V, 전류-대기 (최대): 500nA,
논리 유형: AND Gate, 회로 수: 4, 입력 수: 2, 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V, 전류-대기 (최대): 20µA,
논리 유형: Inverter, 회로 수: 6, 입력 수: 6, 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V, 전류-대기 (최대): 20µA,
논리 유형: OR Gate, 회로 수: 4, 입력 수: 2, 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V, 전류-대기 (최대): 20µA,
논리 유형: NAND Gate, 회로 수: 4, 입력 수: 2, 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V, 전류-대기 (최대): 20µA,
논리 유형: Inverter, 회로 수: 6, 입력 수: 6, 풍모: Open Drain, 전압-공급: 2V ~ 6V, 전류-대기 (최대): 20µA,
논리 유형: Inverter, 회로 수: 6, 입력 수: 6, 전압-공급: 2V ~ 6V, 전류-대기 (최대): 20µA,
논리 유형: Inverter, 회로 수: 6, 입력 수: 6, 전압-공급: 2V ~ 5.5V, 전류-대기 (최대): 20µA,
논리 유형: NAND Gate, 회로 수: 4, 입력 수: 2, 전압-공급: 2V ~ 5.5V, 전류-대기 (최대): 20µA,
논리 유형: OR Gate, 회로 수: 4, 입력 수: 2, 전압-공급: 2V ~ 5.5V, 전류-대기 (최대): 20µA,
논리 유형: AND Gate, 회로 수: 4, 입력 수: 2, 전압-공급: 2V ~ 5.5V, 전류-대기 (최대): 20µA,
논리 유형: NAND Gate, 회로 수: 4, 입력 수: 2, 전압-공급: 2V ~ 6V, 전류-대기 (최대): 20µA,
논리 유형: OR Gate, 회로 수: 4, 입력 수: 2, 전압-공급: 2V ~ 6V, 전류-대기 (최대): 20µA,
