트랜지스터-FET, MOSFET-단일

DMP1022UFDF-7

부품 재고: 159919

FET 유형: P-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 12V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9.5A (Ta), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 15.3 mOhm @ 4A, 4.5V,

ZVN3306FTA

부품 재고: 179513

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 150mA (Ta), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 500mA, 10V,

DMG6402LDM-7

부품 재고: 188491

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.3A (Ta), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 27 mOhm @ 7A, 10V,

DMN2041L-7

부품 재고: 183630

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.4A (Ta), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 6A, 4.5V,

DMN2020UFCL-7

부품 재고: 143834

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9A (Ta), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 14 mOhm @ 9A, 4.5V,

DMP3105LVT-7

부품 재고: 134962

FET 유형: P-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.1A (Ta), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 75 mOhm @ 4.2A, 10V,

DMTH4004SPSQ-13

부품 재고: 132167

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 31A (Ta), 100A (Tc), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.7 mOhm @ 90A, 10V,

DMG3415UFY4Q-7

부품 재고: 130289

FET 유형: P-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 16V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.5A (Ta), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 39 mOhm @ 4A, 4.5V,

ZXMN10A07ZTA

부품 재고: 145903

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1A (Ta), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 700 mOhm @ 1.5A, 10V,

DMN3053L-7

부품 재고: 159874

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4A (Ta), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 4A, 10V,

DMT6012LPS-13

부품 재고: 9615

DMN30H4D0L-13

부품 재고: 129656

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 300V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 250mA (Ta), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 2.7V, 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4 Ohm @ 300mA, 10V,

ZVN2106A

부품 재고: 92744

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 450mA (Ta), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2 Ohm @ 1A, 10V,

ZXM41N10FTA

부품 재고: 9338

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 170mA (Ta), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 3V, 4.5V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8 Ohm @ 150mA, 4.5V,

ZVN4424ASTOA

부품 재고: 9169

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 240V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 260mA (Ta), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.5 Ohm @ 500mA, 10V,

ZXMN6A11GTC

부품 재고: 9235

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.1A (Ta), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 2.5A, 10V,

ZVP3306FTC

부품 재고: 9172

FET 유형: P-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 90mA (Ta), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 14 Ohm @ 200mA, 10V,

ZVN2110ASTOB

부품 재고: 9265

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 320mA (Ta), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4 Ohm @ 1A, 10V,

DMG4406LSS-13

부품 재고: 9411

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10.3A (Ta), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 11 mOhm @ 12A, 10V,

ZXM64P035GTA

부품 재고: 9288

FET 유형: P-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 35V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.8A (Ta), 5.3A (Tc), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 75 mOhm @ 2.4A, 10V,

ZVN4306ASTOB

부품 재고: 9223

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.1A (Ta), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 330 mOhm @ 3A, 10V,

DMN3052L-7

부품 재고: 9376

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.4A (Ta), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 2V, 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 32 mOhm @ 5.8A, 10V,

ZVP2110GTC

부품 재고: 5995

FET 유형: P-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 310mA (Ta), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8 Ohm @ 375mA, 10V,

ZVN4210ASTOA

부품 재고: 5985

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 450mA (Ta), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.5 Ohm @ 1.5A, 10V,

ZVP3310FTC

부품 재고: 9238

FET 유형: P-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 75mA (Ta), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 20 Ohm @ 150mA, 10V,

ZXM64P035L3

부품 재고: 9340

FET 유형: P-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 35V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.3A (Ta), 12A (Tc), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 75 mOhm @ 2.4A, 10V,

ZVP2110A

부품 재고: 76343

FET 유형: P-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 230mA (Ta), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8 Ohm @ 375mA, 10V,

ZVN2110ASTOA

부품 재고: 9250

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 320mA (Ta), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4 Ohm @ 1A, 10V,

ZVNL110ASTOB

부품 재고: 9241

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 320mA (Ta), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 500mA, 10V,

ZVP4525E6TC

부품 재고: 9196

FET 유형: P-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 250V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 197mA (Ta), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 3.5V, 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 14 Ohm @ 200mA, 10V,

ZVP4525GTC

부품 재고: 9249

FET 유형: P-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 250V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 265mA (Ta), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 3.5V, 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 14 Ohm @ 200mA, 10V,

ZVN4306GVTC

부품 재고: 9190

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.1A (Ta), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 330 mOhm @ 3A, 10V,

DMN5L06-7

부품 재고: 9282

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 50V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 280mA (Ta), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 1.8V, 2.7V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 200mA, 2.7V,

ZXMP10A18K

부품 재고: 9297

FET 유형: P-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.8A (Ta), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 150 mOhm @ 2.8A, 10V,

ZXM64N035GTA

부품 재고: 9290

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 35V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.8A (Ta), 6.7A (Tc), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 3.7A, 10V,

ZVN4306ASTOA

부품 재고: 9229

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.1A (Ta), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 330 mOhm @ 3A, 10V,