메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: FLASH, 과학 기술: FLASH - NOR, 메모리 크기: 64Mb (4M x 16), 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns,
메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: NVSRAM, 과학 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), 메모리 크기: 1Mb (128K x 8), 클록 주파수: 108MHz,
메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: SRAM, 과학 기술: SRAM - Dual Port, Asynchronous, 메모리 크기: 16Kb (2K x 8), 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 55ns,
메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: FLASH, 과학 기술: FLASH - NOR, 메모리 크기: 64Mb (8M x 8), 클록 주파수: 108MHz, 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 3ms,
메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: NVSRAM, 과학 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), 메모리 크기: 64Kb (8K x 8), 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 55ns,
메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: FLASH, 과학 기술: FLASH - NOR, 메모리 크기: 32Mb (1M x 32), 클록 주파수: 75MHz, 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns,
메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: NVSRAM, 과학 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), 메모리 크기: 256Kb (32K x 8), 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 45ns,
메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: FRAM, 과학 기술: FRAM (Ferroelectric RAM), 메모리 크기: 16Kb (2K x 8), 클록 주파수: 15MHz,
메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: FLASH, 과학 기술: FLASH - NOR, 메모리 크기: 1Gb (128M x 8), 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns,
메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: SRAM, 과학 기술: SRAM - Asynchronous, 메모리 크기: 8Mb (512K x 16), 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 55ns,
메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: SRAM, 과학 기술: SRAM - Synchronous, QDR II, 메모리 크기: 18Mb (512K x 36), 클록 주파수: 250MHz,
메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: SRAM, 과학 기술: SRAM - Synchronous, QDR II+, 메모리 크기: 72Mb (2M x 36), 클록 주파수: 400MHz,
메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: SRAM, 과학 기술: SRAM - Asynchronous, 메모리 크기: 16Mb (2M x 8, 1M x 16), 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 45ns,
메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: SRAM, 과학 기술: SRAM - Dual Port, Asynchronous, 메모리 크기: 8Kb (1K x 8), 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 55ns,
메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: SRAM, 과학 기술: SRAM - Dual Port, Asynchronous, 메모리 크기: 16Kb (2K x 8), 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 25ns,
메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: SRAM, 과학 기술: SRAM - Synchronous, 메모리 크기: 18Mb (1M x 18), 클록 주파수: 133MHz,
메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: SRAM, 과학 기술: SRAM - Dual Port, Asynchronous, 메모리 크기: 8Kb (1K x 8), 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 25ns,
메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: FLASH, 과학 기술: FLASH - NOR, 메모리 크기: 32Mb (2M x 16), 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns,
메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: FLASH, 과학 기술: FLASH - NAND, 메모리 크기: 4Gb (512M x 8), 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 25ns,
메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: FRAM, 과학 기술: FRAM (Ferroelectric RAM), 메모리 크기: 64Kb (8K x 8), 클록 주파수: 1MHz,
메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: FLASH, 과학 기술: FLASH - NOR, 메모리 크기: 512Mb (32M x 16), 클록 주파수: 66MHz, 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns,
메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: SRAM, 과학 기술: SRAM - Dual Port, Asynchronous, 메모리 크기: 1Mb (64K x 16), 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 25ns,
메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: NVSRAM, 과학 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), 메모리 크기: 256Kb (32K x 8), 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 25ns,
메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: NVSRAM, 과학 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), 메모리 크기: 1Mb (128K x 8), 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 45ns,
메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: FLASH, 과학 기술: FLASH - NOR, 메모리 크기: 1Gb (64M x 16), 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns,
메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: SRAM, 과학 기술: SRAM - Asynchronous, 메모리 크기: 8Mb (1M x 8), 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 45ns,
메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: FLASH, 과학 기술: FLASH - NOR, 메모리 크기: 512Mb (64M x 8), 클록 주파수: 133MHz,
메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: SRAM, 과학 기술: SRAM - Synchronous, DDR II, 메모리 크기: 72Mb (2M x 36), 클록 주파수: 400MHz,
