메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: SRAM, 과학 기술: SRAM - Synchronous, QDR II, 메모리 크기: 36Mb (1M x 36), 클록 주파수: 250MHz,
메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: SRAM, 과학 기술: SRAM - Dual Port, Synchronous, 메모리 크기: 1.152Mb (128K x 9), 클록 주파수: 67MHz,
메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: SRAM, 과학 기술: SRAM - Synchronous, QDR II, 메모리 크기: 36Mb (4M x 9), 클록 주파수: 250MHz,
메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: NVSRAM, 과학 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), 메모리 크기: 8Mb (512K x 16), 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 45ns,
메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: SRAM, 과학 기술: SRAM - Asynchronous, 메모리 크기: 1Mb (128K x 8), 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 20ns,
메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: SRAM, 과학 기술: SRAM - Synchronous, 메모리 크기: 18Mb (512K x 36), 클록 주파수: 200MHz,
메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: SRAM, 과학 기술: SRAM - Synchronous, DDR II, 메모리 크기: 18Mb (1M x 18), 클록 주파수: 250MHz,
메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: SRAM, 과학 기술: SRAM - Synchronous, 메모리 크기: 36Mb (1M x 36), 클록 주파수: 133MHz,
메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: SRAM, 과학 기술: SRAM - Asynchronous, 메모리 크기: 256Kb (32K x 8), 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns,
메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: SRAM, 과학 기술: SRAM - Asynchronous, 메모리 크기: 1Mb (64K x 16), 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 12ns,
메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: NVSRAM, 과학 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), 메모리 크기: 8Mb (512K x 16), 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 25ns,
메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: SRAM, 과학 기술: SRAM - Synchronous, DDR II, 메모리 크기: 36Mb (1M x 36), 클록 주파수: 250MHz,
메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: SRAM, 과학 기술: SRAM - Synchronous, DDR II, 메모리 크기: 36Mb (2M x 18), 클록 주파수: 250MHz,
메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: SRAM, 과학 기술: SRAM - Synchronous, QDR II+, 메모리 크기: 18Mb (1M x 18), 클록 주파수: 450MHz,
메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: SRAM, 과학 기술: SRAM - Asynchronous, 메모리 크기: 16Mb (512K x 32), 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 10ns,
메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: NVSRAM, 과학 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), 메모리 크기: 16Mb (1M x 16), 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 30ns,
메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: SRAM, 과학 기술: SRAM - Asynchronous, 메모리 크기: 4Mb (512K x 8), 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns,
메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: SRAM, 과학 기술: SRAM - Synchronous, 메모리 크기: 18Mb (512K x 36), 클록 주파수: 133MHz,
메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: SRAM, 과학 기술: SRAM - Dual Port, Asynchronous, 메모리 크기: 256Kb (32K x 8), 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 20ns,
메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: SRAM, 과학 기술: SRAM - Asynchronous, 메모리 크기: 16Mb (1M x 16), 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 10ns,
메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: SRAM, 과학 기술: SRAM - Synchronous, 메모리 크기: 36Mb (1M x 36), 클록 주파수: 167MHz,
메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: SRAM, 과학 기술: SRAM - Synchronous, 메모리 크기: 36Mb (1M x 36), 클록 주파수: 250MHz,
메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: SRAM, 과학 기술: SRAM - Dual Port, Asynchronous, 메모리 크기: 8Kb (1K x 8), 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 25ns,
메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: SRAM, 과학 기술: SRAM - Synchronous, QDR II+, 메모리 크기: 18Mb (512K x 36), 클록 주파수: 400MHz,
메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: SRAM, 과학 기술: SRAM - Dual Port, Asynchronous, 메모리 크기: 576Kb (32K x 18), 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns,
메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: SRAM, 과학 기술: SRAM - Asynchronous, 메모리 크기: 1Mb (128K x 8), 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 12ns,
메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: SRAM, 과학 기술: SRAM - Synchronous, 메모리 크기: 36Mb (2M x 18), 클록 주파수: 250MHz,
메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: SRAM, 과학 기술: SRAM - Synchronous, 메모리 크기: 36Mb (2M x 18), 클록 주파수: 167MHz,
