트랜지스터 유형: pHEMT FET, 회수: 20GHz, 이득: 13.8dB, 전압-테스트: 2V, 현재 등급: 15mA, 노이즈 피겨: 0.8dB,
트랜지스터 유형: pHEMT FET, 회수: 20GHz, 이득: 11.9dB, 전압-테스트: 2V, 현재 등급: 15mA, 노이즈 피겨: 1.05dB,
트랜지스터 유형: pHEMT FET, 회수: 12GHz, 이득: 13.7dB, 전압-테스트: 2V, 현재 등급: 15mA, 노이즈 피겨: 0.5dB,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 460MHz, 이득: 20dB, 전압-테스트: 3V, 현재 등급: 350mA,
트랜지스터 유형: pHEMT FET, 회수: 12GHz, 이득: 12.2dB, 전압-테스트: 2V, 현재 등급: 15mA, 노이즈 피겨: 0.62dB,
트랜지스터 유형: pHEMT FET, 회수: 12GHz, 이득: 12.2dB, 전압-테스트: 2V, 현재 등급: 68mA, 노이즈 피겨: 0.62dB,
트랜지스터 유형: HFET, 회수: 1.9GHz, 이득: 10dB, 전압-테스트: 3.5V, 현재 등급: 2.8A,
트랜지스터 유형: HFET, 회수: 20GHz, 이득: 13.5dB, 전압-테스트: 2V, 현재 등급: 70mA, 노이즈 피겨: 0.65dB,
트랜지스터 유형: HFET, 회수: 12GHz, 이득: 12.5dB, 전압-테스트: 2V, 현재 등급: 88mA, 노이즈 피겨: 0.3dB,
트랜지스터 유형: N-Channel, 회수: 900MHz, 이득: 23.5dB, 전압-테스트: 7.5V, 현재 등급: 600mA,
트랜지스터 유형: HFET, 회수: 2GHz, 이득: 17.5dB, 전압-테스트: 2V, 현재 등급: 60mA, 노이즈 피겨: 0.4dB,
트랜지스터 유형: HFET, 회수: 12GHz, 이득: 12dB, 전압-테스트: 2V, 현재 등급: 70mA, 노이즈 피겨: 0.45dB,
트랜지스터 유형: HFET, 회수: 2GHz, 이득: 16dB, 전압-테스트: 2V, 현재 등급: 120mA, 노이즈 피겨: 0.6dB,
트랜지스터 유형: N-Channel, 회수: 20GHz, 이득: 10.5dB, 전압-테스트: 2V, 현재 등급: 15mA, 노이즈 피겨: 0.85dB,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 900MHz, 이득: 22dB, 전압-테스트: 7.5V, 현재 등급: 2.1A,
트랜지스터 유형: MESFET Dual Gate, 회수: 900MHz, 이득: 20dB, 전압-테스트: 5V, 현재 등급: 40mA, 노이즈 피겨: 1.1dB,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 900MHz, 이득: 22.5dB, 전압-테스트: 7.5V, 현재 등급: 600mA,
트랜지스터 유형: HFET, 회수: 12GHz, 이득: 13.5dB, 전압-테스트: 2V, 현재 등급: 70mA, 노이즈 피겨: 0.3dB,
트랜지스터 유형: N-Channel GaAs HJ-FET, 회수: 12GHz, 이득: 14dB, 전압-테스트: 2V, 현재 등급: 60mA, 노이즈 피겨: 0.35dB,
트랜지스터 유형: MESFET, 회수: 2.3GHz, 이득: 11dB, 전압-테스트: 10V, 현재 등급: 5A,
트랜지스터 유형: HFET, 회수: 1.9GHz, 이득: 12dB, 전압-테스트: 3.5V, 현재 등급: 1A,
트랜지스터 유형: HFET, 회수: 12GHz, 이득: 13dB, 전압-테스트: 2V, 현재 등급: 15mA, 노이즈 피겨: 0.5dB,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 460MHz, 전압-테스트: 7.5V, 현재 등급: 3A,
트랜지스터 유형: HFET, 회수: 12GHz, 이득: 13.5dB, 전압-테스트: 2V, 현재 등급: 70mA, 노이즈 피겨: 0.35dB,
트랜지스터 유형: HFET, 회수: 12GHz, 이득: 13.5dB, 전압-테스트: 2V, 현재 등급: 15mA, 노이즈 피겨: 0.35dB,
트랜지스터 유형: HFET, 회수: 20GHz, 이득: 13.5dB, 전압-테스트: 2V, 현재 등급: 15mA, 노이즈 피겨: 0.7dB,
