감지 거리: 0.150" (3.81mm), 감지 방법: Reflective, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 30V, 전류-DC 순방향 (If) (최대): 40mA, 출력 유형: Phototransistor,
감지 거리: 0.220" (5.59mm), 감지 방법: Reflective, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 24V, 전류-수집기 (Ic) (최대): 30mA, 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA, 출력 유형: Phototransistor,
감지 거리: 0.050" (1.27mm), 감지 방법: Reflective, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 30V, 전류-수집기 (Ic) (최대): 25mA, 전류-DC 순방향 (If) (최대): 12mA, 출력 유형: Phototransistor,
감지 거리: 0.250" (6.35mm), 감지 방법: Reflective, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 30V, 전류-수집기 (Ic) (최대): 25mA, 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA, 출력 유형: Phototransistor,
감지 거리: 0.150" (3.81mm), 감지 방법: Reflective, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 15V, 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA, 출력 유형: Transistor, Base-Emitter Resistor,
감지 거리: 0.050" (1.27mm), 감지 방법: Reflective, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 24V, 전류-수집기 (Ic) (최대): 25mA, 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA, 출력 유형: Phototransistor,
감지 거리: 0.039" (1mm), 감지 방법: Reflective, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 30V, 전류-수집기 (Ic) (최대): 20mA, 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA, 출력 유형: Phototransistor,
감지 거리: 0.236" (6mm), 감지 방법: Reflective, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 30V, 전류-수집기 (Ic) (최대): 30mA, 전류-DC 순방향 (If) (최대): 30mA, 출력 유형: Phototransistor,
감지 방법: Reflective, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 30V, 전류-수집기 (Ic) (최대): 20mA, 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA, 출력 유형: Phototransistor,
감지 거리: 0.157" (4mm), 감지 방법: Reflective, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 24V, 전류-수집기 (Ic) (최대): 20mA, 전류-DC 순방향 (If) (최대): 15mA, 출력 유형: Photodarlington,
감지 거리: 0.050" (1.27mm), 감지 방법: Reflective, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 30V, 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA, 출력 유형: Phototransistor,
감지 거리: 0.150" (3.81mm), 감지 방법: Reflective, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 30V, 전류-수집기 (Ic) (최대): 20mA, 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA, 출력 유형: Phototransistor,
감지 거리: 0.039" (1mm), 감지 방법: Reflective, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 30V, 전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA, 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA, 출력 유형: Phototransistor,
감지 거리: 0.250" (6.35mm), 감지 방법: Reflective, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 30V, 전류-수집기 (Ic) (최대): 30mA, 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA, 출력 유형: Phototransistor,
감지 거리: 0.05" (1.27mm), 감지 방법: Reflective, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 15V, 전류-수집기 (Ic) (최대): 30mA, 전류-DC 순방향 (If) (최대): 20mA, 출력 유형: Phototransistor,
감지 거리: 0.2" (5.08mm), 감지 방법: Reflective, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 30V, 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA, 출력 유형: Phototransistor,
감지 거리: 0.197" (5mm), 감지 방법: Reflective, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 30V, 전류-수집기 (Ic) (최대): 10mA, 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA, 출력 유형: Phototransistor,
감지 거리: 0.039" ~ 0.197" (1mm ~ 5mm), 감지 방법: Reflective, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 16V, 전류-수집기 (Ic) (최대): 10mA, 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA, 출력 유형: Phototransistor,
감지 방법: Reflective, 출력 유형: Photodiode,
감지 거리: 0.039" ~ 0.354" (1mm ~ 9mm) ADJ, 감지 방법: Reflective, 출력 유형: Photodiode,
감지 거리: 0.028" (0.7mm), 감지 방법: Reflective, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 35V, 전류-수집기 (Ic) (최대): 20mA, 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA, 출력 유형: Phototransistor,
감지 거리: 0.079" ~ 0.984" (2mm ~ 25mm) ADJ, 감지 방법: Reflective, 전류-DC 순방향 (If) (최대): 100mA, 출력 유형: PIN Photodiode,
감지 거리: 0.02" (0.5mm), 감지 방법: Reflective, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 20V, 전류-수집기 (Ic) (최대): 20mA, 전류-DC 순방향 (If) (최대): 100mA, 출력 유형: Phototransistor,
