감지 거리: 0.047" (1.2mm), 출력 구성: Phototransistor, 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA, 전류-수집기 (Ic) (최대): 30mA, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 30V,
감지 거리: 0.091" (2.3mm), 감지 방법: Transmissive, 출력 구성: Phototransistor, 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA, 전류-수집기 (Ic) (최대): 30mA, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 30V,
감지 거리: 0.160" (4.06mm), 감지 방법: Transmissive, 출력 구성: Phototransistor, 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA, 전류-수집기 (Ic) (최대): 30mA, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 30V,
감지 거리: 0.125" (3.18mm), 감지 방법: Transmissive, 출력 구성: Phototransistor, 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA, 전류-수집기 (Ic) (최대): 30mA, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 30V,
감지 거리: 0.375" (9.53mm), 감지 방법: Transmissive, 출력 구성: Phototransistor, 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA, 전류-수집기 (Ic) (최대): 30mA, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 30V,
감지 방법: Transmissive, 출력 구성: Phototransistor, 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 30V,
감지 방법: Transmissive, 출력 구성: Phototransistor, 전류-DC 순방향 (If) (최대): 20mA, 전류-수집기 (Ic) (최대): 10mA, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 30V,
감지 거리: 0.197" (5mm), 감지 방법: Transmissive, 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA, 전류-수집기 (Ic) (최대): 20mA, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 30V,
감지 거리: 0.118" (3mm), 감지 방법: Transmissive, 출력 구성: Phototransistor, 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA, 전류-수집기 (Ic) (최대): 20mA, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 30V,
감지 거리: 0.134" (3.4mm), 감지 방법: Transmissive, 출력 구성: Phototransistor, 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA, 전류-수집기 (Ic) (최대): 20mA, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 30V,
감지 거리: 0.118" (3mm), 감지 방법: Transmissive, 출력 구성: Phototransistor, 전류-DC 순방향 (If) (최대): 25mA, 전류-수집기 (Ic) (최대): 20mA, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 20V,
감지 거리: 0.122" (3.1mm), 감지 방법: Transmissive, 출력 구성: Phototransistor, 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA, 전류-수집기 (Ic) (최대): 200mA, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 70V,
감지 거리: 0.125" (3.18mm), 감지 방법: Transmissive, 출력 구성: Transistor, 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA, 전류-수집기 (Ic) (최대): 30mA, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 30V,
감지 거리: 0.375" (9.52mm), 감지 방법: Transmissive, 출력 구성: Phototransistor, 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA, 전류-수집기 (Ic) (최대): 30mA, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 30V,
감지 거리: 0.020" (0.5mm), 감지 방법: Transmissive, 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA, 전류-수집기 (Ic) (최대): 20mA, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 30V,
