A2G35S200-01SR3

A2G35S200-01SR3

NXP USA Inc.

A2G35S200-01SR3

범주:

디스크리트 반도체 제품

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

EDA / CAD 모델:

A2G35S200-01SR3 PCB 발자국 및 기호

주식 자원:

공장 초과 재고 / 프랜차이즈 배포자

보증:

1 년 Endezo 보증

기술:

AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR More info

Datasheet:

A2G35S200-01SR3 PDF

수량

SKU: #fa672ed6-44ae-1588-04a4-d666fc394386

공유:

제품 속성

유형	기술
부품 상태	Active
트랜지스터 유형	LDMOS
회수	3.4GHz ~ 3.6GHz
이득	16.1dB
전압-테스트	48V
현재 등급	-
노이즈 피겨	-
전류-테스트	291mA
전력-출력	180W
전압-정격	125V
패키지 / 케이스	NI-400S-2S
공급 업체 장치 패키지	NI-400S-2S

환경 및 수출 분류

RoHS 현황	RoHS 준수
습기 감도 수준 (MSL)	해당 사항 없음
라이프 사이클 상태	쓸모없는 / 삶의 끝
재고 범주	사용 가능 재고

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