RFID 트랜스 폰더, 태그

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스타일: Inlay, 과학 기술: Passive, 회수: 860MHz ~ 960MHz, 메모리 유형: Read/Write, 쓰기 가능한 메모리: 96b (EPC), 기준: ISO 18000-6, EPC,

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스타일: Inlay, 과학 기술: Passive, 회수: 860MHz ~ 960MHz, 메모리 유형: Read/Write, 쓰기 가능한 메모리: 2kb (User), 기준: ISO 18000-6, EPC,

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스타일: Inlay, 과학 기술: Passive, 회수: 860MHz ~ 960MHz, 메모리 유형: Read/Write, 쓰기 가능한 메모리: 96b (EPC), 기준: ISO 18000-6, EPC,

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스타일: Inlay, 과학 기술: Passive, 회수: 860MHz ~ 960MHz, 메모리 유형: Read/Write, 쓰기 가능한 메모리: 256b (EPC), 기준: EPC, ISO 18000-6,

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스타일: Inlay, 과학 기술: Passive, 회수: 860MHz ~ 960MHz, 메모리 유형: Read/Write, 쓰기 가능한 메모리: 96b (EPC), 기준: EPC, ISO 18000-6,

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스타일: Inlay, 과학 기술: Passive, 회수: 860MHz ~ 960MHz, 메모리 유형: Read/Write, 쓰기 가능한 메모리: 96b (EPC), 기준: ISO 18000-6, EPC,

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스타일: Inlay, 과학 기술: Passive, 회수: 860MHz ~ 960MHz, 메모리 유형: Read/Write, 쓰기 가능한 메모리: 128b (EPC), 기준: EPC, ISO 18000-6,

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스타일: Inlay, 과학 기술: Passive, 회수: 860MHz ~ 960MHz, 메모리 유형: Read/Write, 쓰기 가능한 메모리: 128b (EPC), 기준: EPC, ISO 18000-6,

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스타일: Inlay, 과학 기술: Passive, 회수: 860MHz ~ 960MHz, 메모리 유형: Read/Write, 쓰기 가능한 메모리: 96b (EPC), 기준: ISO 18000-6, EPC,

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스타일: Inlay, 과학 기술: Passive, 회수: 13.56MHz, 메모리 유형: Read/Write, 쓰기 가능한 메모리: 384b (User), 기준: ISO 14443,

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스타일: Inlay, 과학 기술: Passive, 회수: 13.56MHz, 메모리 유형: Read/Write, 쓰기 가능한 메모리: 384b (User), 기준: ISO 14443,

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스타일: Inlay, 과학 기술: Passive, 회수: 13.56MHz, 메모리 유형: Read/Write, 쓰기 가능한 메모리: 384b (User), 기준: ISO 14443,

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스타일: Inlay, 과학 기술: Passive, 회수: 13.56MHz, 메모리 유형: Read/Write, 쓰기 가능한 메모리: 144B (User), 기준: ISO 14443,

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스타일: Inlay, 과학 기술: Passive, 회수: 13.56MHz, 메모리 유형: Read/Write, 쓰기 가능한 메모리: 144B (User), 기준: ISO 14443,

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스타일: Inlay, 과학 기술: Passive, 회수: 13.56MHz, 메모리 유형: Read/Write, 쓰기 가능한 메모리: 144B (User), 기준: ISO 14443,

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스타일: Inlay, 과학 기술: Passive, 회수: 13.56MHz, 기준: ISO 15693, ISO 18000-3,

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스타일: Inlay, 과학 기술: Passive, 회수: 860MHz ~ 960MHz, 메모리 유형: Read/Write, 쓰기 가능한 메모리: 128b (EPC), 32b (User), 기준: ISO 18000-6C, EPC,

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스타일: Inlay, 과학 기술: Active, 회수: 13.56MHz, 기준: ISO 15693,

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부품 재고: 741