프로그래밍 가능 유형: In System Programmable (min 10K program/erase cycles), 지연 시간 tpd (1) 최대: 6.0ns, 전압 공급-내부: 3V ~ 3.6V, 논리 요소 / 블록 수: 16, 매크로 셀 수: 288, 게이트 수: 6400,
프로그래밍 가능 유형: In System Programmable (min 1K program/erase cycles), 지연 시간 tpd (1) 최대: 7.0ns, 전압 공급-내부: 3V ~ 3.6V, 논리 요소 / 블록 수: 16, 매크로 셀 수: 256, 게이트 수: 6000,
프로그래밍 가능 유형: In System Programmable (min 1K program/erase cycles), 지연 시간 tpd (1) 최대: 10.8ns, 전압 공급-내부: 3V ~ 3.6V, 논리 요소 / 블록 수: 32, 매크로 셀 수: 512, 게이트 수: 12000,
프로그래밍 가능 유형: In System Programmable (min 1K program/erase cycles), 지연 시간 tpd (1) 최대: 7.0ns, 전압 공급-내부: 3V ~ 3.6V, 논리 요소 / 블록 수: 32, 매크로 셀 수: 512, 게이트 수: 12000,
프로그래밍 가능 유형: In System Programmable (min 1K program/erase cycles), 지연 시간 tpd (1) 최대: 9.0ns, 전압 공급-내부: 2.7V ~ 3.6V, 논리 요소 / 블록 수: 32, 매크로 셀 수: 512, 게이트 수: 12000,
프로그래밍 가능 유형: In System Programmable (min 1K program/erase cycles), 지연 시간 tpd (1) 최대: 9.0ns, 전압 공급-내부: 2.7V ~ 3.6V, 논리 요소 / 블록 수: 24, 매크로 셀 수: 384, 게이트 수: 9000,
프로그래밍 가능 유형: In System Programmable (min 1K program/erase cycles), 지연 시간 tpd (1) 최대: 9.1ns, 전압 공급-내부: 3V ~ 3.6V, 논리 요소 / 블록 수: 16, 매크로 셀 수: 256, 게이트 수: 6000,
프로그래밍 가능 유형: In System Programmable (min 10K program/erase cycles), 지연 시간 tpd (1) 최대: 7.5ns, 전압 공급-내부: 3V ~ 3.6V, 논리 요소 / 블록 수: 8, 매크로 셀 수: 144, 게이트 수: 3200,
프로그래밍 가능 유형: In System Programmable (min 10K program/erase cycles), 지연 시간 tpd (1) 최대: 5.0ns, 전압 공급-내부: 3V ~ 3.6V, 논리 요소 / 블록 수: 8, 매크로 셀 수: 144, 게이트 수: 3200,
프로그래밍 가능 유형: In System Programmable (min 10K program/erase cycles), 지연 시간 tpd (1) 최대: 10.0ns, 전압 공급-내부: 3V ~ 3.6V, 논리 요소 / 블록 수: 16, 매크로 셀 수: 288, 게이트 수: 6400,
프로그래밍 가능 유형: In System Programmable (min 10K program/erase cycles), 지연 시간 tpd (1) 최대: 7.5ns, 전압 공급-내부: 3V ~ 3.6V, 논리 요소 / 블록 수: 16, 매크로 셀 수: 288, 게이트 수: 6400,
프로그래밍 가능 유형: In System Programmable (min 1K program/erase cycles), 지연 시간 tpd (1) 최대: 5.5ns, 전압 공급-내부: 3V ~ 3.6V, 논리 요소 / 블록 수: 8, 매크로 셀 수: 128, 게이트 수: 3000,
프로그래밍 가능 유형: In System Programmable (min 10K program/erase cycles), 지연 시간 tpd (1) 최대: 10.0ns, 전압 공급-내부: 3V ~ 3.6V, 논리 요소 / 블록 수: 16, 매크로 셀 수: 288, 게이트 수: 6400,
프로그래밍 가능 유형: In System Programmable (min 10K program/erase cycles), 지연 시간 tpd (1) 최대: 7.5ns, 전압 공급-내부: 3V ~ 3.6V, 논리 요소 / 블록 수: 16, 매크로 셀 수: 288, 게이트 수: 6400,
프로그래밍 가능 유형: In System Programmable (min 10K program/erase cycles), 지연 시간 tpd (1) 최대: 7.5ns, 전압 공급-내부: 3V ~ 3.6V, 논리 요소 / 블록 수: 16, 매크로 셀 수: 288, 게이트 수: 6400,
프로그래밍 가능 유형: In System Programmable (min 10K program/erase cycles), 지연 시간 tpd (1) 최대: 10.0ns, 전압 공급-내부: 3V ~ 3.6V, 논리 요소 / 블록 수: 16, 매크로 셀 수: 288, 게이트 수: 6400,
프로그래밍 가능 유형: In System Programmable (min 1K program/erase cycles), 지연 시간 tpd (1) 최대: 7.0ns, 전압 공급-내부: 2.7V ~ 3.6V, 논리 요소 / 블록 수: 8, 매크로 셀 수: 128, 게이트 수: 3000,
프로그래밍 가능 유형: In System Programmable (min 10K program/erase cycles), 지연 시간 tpd (1) 최대: 7.5ns, 전압 공급-내부: 3V ~ 3.6V, 논리 요소 / 블록 수: 16, 매크로 셀 수: 288, 게이트 수: 6400,
프로그래밍 가능 유형: In System Programmable (min 10K program/erase cycles), 지연 시간 tpd (1) 최대: 10.0ns, 전압 공급-내부: 3V ~ 3.6V, 논리 요소 / 블록 수: 16, 매크로 셀 수: 288, 게이트 수: 6400,
프로그래밍 가능 유형: In System Programmable (min 1K program/erase cycles), 지연 시간 tpd (1) 최대: 5.5ns, 전압 공급-내부: 3V ~ 3.6V, 논리 요소 / 블록 수: 8, 매크로 셀 수: 128, 게이트 수: 3000,
프로그래밍 가능 유형: In System Programmable (min 1K program/erase cycles), 지연 시간 tpd (1) 최대: 7.0ns, 전압 공급-내부: 3V ~ 3.6V, 논리 요소 / 블록 수: 8, 매크로 셀 수: 128, 게이트 수: 3000,
프로그래밍 가능 유형: In System Programmable (min 1K program/erase cycles), 지연 시간 tpd (1) 최대: 9.1ns, 전압 공급-내부: 2.7V ~ 3.6V, 논리 요소 / 블록 수: 16, 매크로 셀 수: 256, 게이트 수: 6000,
프로그래밍 가능 유형: In System Programmable (min 10K program/erase cycles), 지연 시간 tpd (1) 최대: 7.5ns, 전압 공급-내부: 3V ~ 3.6V, 논리 요소 / 블록 수: 16, 매크로 셀 수: 288, 게이트 수: 6400,
프로그래밍 가능 유형: In System Programmable (min 1K program/erase cycles), 지연 시간 tpd (1) 최대: 9.1ns, 전압 공급-내부: 3V ~ 3.6V, 논리 요소 / 블록 수: 16, 매크로 셀 수: 256, 게이트 수: 6000,
