프로그래밍 가능 유형: In System Programmable (min 10K program/erase cycles), 지연 시간 tpd (1) 최대: 7.5ns, 전압 공급-내부: 3V ~ 3.6V, 논리 요소 / 블록 수: 4, 매크로 셀 수: 72, 게이트 수: 1600,
프로그래밍 가능 유형: In System Programmable (min 10K program/erase cycles), 지연 시간 tpd (1) 최대: 7.5ns, 전압 공급-내부: 4.75V ~ 5.25V, 논리 요소 / 블록 수: 4, 매크로 셀 수: 72, 게이트 수: 1600,
프로그래밍 가능 유형: In System Programmable (min 10K program/erase cycles), 지연 시간 tpd (1) 최대: 5.0ns, 전압 공급-내부: 3V ~ 3.6V, 논리 요소 / 블록 수: 2, 매크로 셀 수: 36, 게이트 수: 800,
프로그래밍 가능 유형: In System Programmable (min 10K program/erase cycles), 지연 시간 tpd (1) 최대: 10.0ns, 전압 공급-내부: 4.75V ~ 5.25V, 논리 요소 / 블록 수: 2, 매크로 셀 수: 36, 게이트 수: 800,
프로그래밍 가능 유형: In System Programmable (min 10K program/erase cycles), 지연 시간 tpd (1) 최대: 7.5ns, 전압 공급-내부: 3V ~ 3.6V, 논리 요소 / 블록 수: 2, 매크로 셀 수: 36, 게이트 수: 800,
프로그래밍 가능 유형: In System Programmable (min 10K program/erase cycles), 지연 시간 tpd (1) 최대: 10.0ns, 전압 공급-내부: 3V ~ 3.6V, 논리 요소 / 블록 수: 2, 매크로 셀 수: 36, 게이트 수: 800,
프로그래밍 가능 유형: In System Programmable (min 1K program/erase cycles), 지연 시간 tpd (1) 최대: 9.1ns, 전압 공급-내부: 2.7V ~ 3.6V, 논리 요소 / 블록 수: 2, 매크로 셀 수: 32, 게이트 수: 750,
프로그래밍 가능 유형: In System Programmable (min 10K program/erase cycles), 지연 시간 tpd (1) 최대: 20.0ns, 전압 공급-내부: 4.75V ~ 5.25V, 논리 요소 / 블록 수: 12, 매크로 셀 수: 216, 게이트 수: 4800,
프로그래밍 가능 유형: In System Programmable (min 10K program/erase cycles), 지연 시간 tpd (1) 최대: 10.0ns, 전압 공급-내부: 3V ~ 3.6V, 논리 요소 / 블록 수: 4, 매크로 셀 수: 72, 게이트 수: 1600,
프로그래밍 가능 유형: In System Programmable (min 10K program/erase cycles), 지연 시간 tpd (1) 최대: 10.0ns, 전압 공급-내부: 3V ~ 3.6V, 논리 요소 / 블록 수: 4, 매크로 셀 수: 72, 게이트 수: 1600,
프로그래밍 가능 유형: In System Programmable (min 10K program/erase cycles), 지연 시간 tpd (1) 최대: 7.5ns, 전압 공급-내부: 3V ~ 3.6V, 논리 요소 / 블록 수: 2, 매크로 셀 수: 36, 게이트 수: 800,
프로그래밍 가능 유형: In System Programmable (min 1K program/erase cycles), 지연 시간 tpd (1) 최대: 9.1ns, 전압 공급-내부: 2.7V ~ 3.6V, 논리 요소 / 블록 수: 4, 매크로 셀 수: 64, 게이트 수: 1500,
프로그래밍 가능 유형: In System Programmable (min 10K program/erase cycles), 지연 시간 tpd (1) 최대: 10.0ns, 전압 공급-내부: 3V ~ 3.6V, 논리 요소 / 블록 수: 8, 매크로 셀 수: 144, 게이트 수: 3200,
프로그래밍 가능 유형: In System Programmable (min 10K program/erase cycles), 지연 시간 tpd (1) 최대: 10.0ns, 전압 공급-내부: 3V ~ 3.6V, 논리 요소 / 블록 수: 4, 매크로 셀 수: 72, 게이트 수: 1600,
프로그래밍 가능 유형: In System Programmable (min 1K program/erase cycles), 지연 시간 tpd (1) 최대: 9.1ns, 전압 공급-내부: 3V ~ 3.6V, 논리 요소 / 블록 수: 4, 매크로 셀 수: 64, 게이트 수: 1500,
프로그래밍 가능 유형: In System Programmable (min 10K program/erase cycles), 지연 시간 tpd (1) 최대: 10.0ns, 전압 공급-내부: 3V ~ 3.6V, 논리 요소 / 블록 수: 2, 매크로 셀 수: 36, 게이트 수: 800,
프로그래밍 가능 유형: In System Programmable (min 1K program/erase cycles), 지연 시간 tpd (1) 최대: 7.0ns, 전압 공급-내부: 2.7V ~ 3.6V, 논리 요소 / 블록 수: 4, 매크로 셀 수: 64, 게이트 수: 1500,
프로그래밍 가능 유형: In System Programmable (min 10K program/erase cycles), 지연 시간 tpd (1) 최대: 7.5ns, 전압 공급-내부: 3V ~ 3.6V, 논리 요소 / 블록 수: 2, 매크로 셀 수: 36, 게이트 수: 800,
프로그래밍 가능 유형: In System Programmable (min 10K program/erase cycles), 지연 시간 tpd (1) 최대: 7.5ns, 전압 공급-내부: 3V ~ 3.6V, 논리 요소 / 블록 수: 4, 매크로 셀 수: 72, 게이트 수: 1600,
프로그래밍 가능 유형: In System Programmable (min 10K program/erase cycles), 지연 시간 tpd (1) 최대: 10.0ns, 전압 공급-내부: 3V ~ 3.6V, 논리 요소 / 블록 수: 8, 매크로 셀 수: 144, 게이트 수: 3200,
프로그래밍 가능 유형: In System Programmable (min 10K program/erase cycles), 지연 시간 tpd (1) 최대: 10.0ns, 전압 공급-내부: 3V ~ 3.6V, 논리 요소 / 블록 수: 4, 매크로 셀 수: 72, 게이트 수: 1600,
프로그래밍 가능 유형: In System Programmable (min 10K program/erase cycles), 지연 시간 tpd (1) 최대: 20.0ns, 전압 공급-내부: 4.75V ~ 5.25V, 논리 요소 / 블록 수: 6, 매크로 셀 수: 108, 게이트 수: 2400,
프로그래밍 가능 유형: In System Programmable (min 10K program/erase cycles), 지연 시간 tpd (1) 최대: 7.5ns, 전압 공급-내부: 3V ~ 3.6V, 논리 요소 / 블록 수: 2, 매크로 셀 수: 36, 게이트 수: 800,
프로그래밍 가능 유형: In System Programmable (min 1K program/erase cycles), 지연 시간 tpd (1) 최대: 5.5ns, 전압 공급-내부: 3V ~ 3.6V, 논리 요소 / 블록 수: 4, 매크로 셀 수: 64, 게이트 수: 1500,
프로그래밍 가능 유형: In System Programmable (min 1K program/erase cycles), 지연 시간 tpd (1) 최대: 7.0ns, 전압 공급-내부: 3V ~ 3.6V, 논리 요소 / 블록 수: 4, 매크로 셀 수: 64, 게이트 수: 1500,
프로그래밍 가능 유형: In System Programmable (min 10K program/erase cycles), 지연 시간 tpd (1) 최대: 10.0ns, 전압 공급-내부: 3V ~ 3.6V, 논리 요소 / 블록 수: 4, 매크로 셀 수: 72, 게이트 수: 1600,
프로그래밍 가능 유형: In System Programmable (min 1K program/erase cycles), 지연 시간 tpd (1) 최대: 5.5ns, 전압 공급-내부: 3V ~ 3.6V, 논리 요소 / 블록 수: 4, 매크로 셀 수: 64, 게이트 수: 1500,
프로그래밍 가능 유형: In System Programmable (min 10K program/erase cycles), 지연 시간 tpd (1) 최대: 15.0ns, 전압 공급-내부: 4.75V ~ 5.25V, 논리 요소 / 블록 수: 4, 매크로 셀 수: 72, 게이트 수: 1600,
