다이오드-제너-단일 | 디스크리트 반도체 제품 | 100

Vishay Semiconductor Diodes Division

BZX384C9V1-E3-08

부품 재고: 195421

전압-제너 (공칭) (Vz): 9.1V, 공차: ±5%, 전력-최대: 200mW, 임피던스 (최대) (Zzt): 15 Ohms, 전류-역방향 누설 @ Vr: 500nA @ 6V,

위시리스트

Vishay Semiconductor Diodes Division

BZX84C18-HE3-08

부품 재고: 189772

전압-제너 (공칭) (Vz): 18V, 공차: ±5%, 전력-최대: 300mW, 임피던스 (최대) (Zzt): 45 Ohms, 전류-역방향 누설 @ Vr: 50nA @ 12.6V,

위시리스트

Vishay Semiconductor Diodes Division

BZX84C2V7-E3-08

부품 재고: 113829

전압-제너 (공칭) (Vz): 2.7V, 공차: ±5%, 전력-최대: 300mW, 임피던스 (최대) (Zzt): 100 Ohms, 전류-역방향 누설 @ Vr: 20µA @ 1V,

위시리스트

Vishay Semiconductor Diodes Division

BZX384C12-E3-08

부품 재고: 187481

전압-제너 (공칭) (Vz): 12V, 공차: ±5%, 전력-최대: 200mW, 임피던스 (최대) (Zzt): 25 Ohms, 전류-역방향 누설 @ Vr: 100nA @ 8V,

위시리스트

Vishay Semiconductor Diodes Division

BZG05C91-M3-08

부품 재고: 16290

전압-제너 (공칭) (Vz): 91V, 공차: ±6.04%, 전력-최대: 1.25W, 임피던스 (최대) (Zzt): 250 Ohms, 전류-역방향 누설 @ Vr: 500nA @ 68V, 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.2V @ 200mA,

위시리스트

Vishay Semiconductor Diodes Division

BZT52C2V7-E3-08

부품 재고: 124172

전압-제너 (공칭) (Vz): 2.7V, 공차: ±5%, 전력-최대: 410mW, 임피던스 (최대) (Zzt): 75 Ohms,

위시리스트

Vishay Semiconductor Diodes Division

BZX84B30-E3-08

부품 재고: 130993

전압-제너 (공칭) (Vz): 30V, 공차: ±2%, 전력-최대: 300mW, 임피던스 (최대) (Zzt): 80 Ohms, 전류-역방향 누설 @ Vr: 50nA @ 21V,

위시리스트

Vishay Semiconductor Diodes Division

BZX584C5V1-V-G-08

부품 재고: 197800

전압-제너 (공칭) (Vz): 5.1V, 공차: ±5%, 전력-최대: 200mW, 임피던스 (최대) (Zzt): 60 Ohms, 전류-역방향 누설 @ Vr: 2µA @ 2V,

위시리스트

Vishay Semiconductor Diodes Division

BZG05C4V7-M3-08

부품 재고: 16228

전압-제너 (공칭) (Vz): 4.7V, 공차: ±6.38%, 전력-최대: 1.25W, 임피던스 (최대) (Zzt): 13 Ohms, 전류-역방향 누설 @ Vr: 3µA @ 1V, 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.2V @ 200mA,

위시리스트

Vishay Semiconductor Diodes Division

BZX384B18-E3-08

부품 재고: 102853

전압-제너 (공칭) (Vz): 18V, 공차: ±2%, 전력-최대: 200mW, 임피던스 (최대) (Zzt): 45 Ohms, 전류-역방향 누설 @ Vr: 50nA @ 12.6V,

위시리스트

Vishay Semiconductor Diodes Division

BZG03C75TR3

부품 재고: 189041

전압-제너 (공칭) (Vz): 75V, 전력-최대: 1.25W, 임피던스 (최대) (Zzt): 100 Ohms, 전류-역방향 누설 @ Vr: 1µA @ 56V, 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.2V @ 500mA,

위시리스트

Vishay Semiconductor Diodes Division

BZG05B9V1-HE3-TR3

부품 재고: 3687

전압-제너 (공칭) (Vz): 9.1V, 공차: ±1.98%, 전력-최대: 1.25W, 임피던스 (최대) (Zzt): 5 Ohms, 전류-역방향 누설 @ Vr: 1µA @ 6.8V, 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.2V @ 200mA,

위시리스트

Vishay Semiconductor Diodes Division

BZG05B9V1-E3-TR3

부품 재고: 6867

전압-제너 (공칭) (Vz): 9.1V, 공차: ±1.98%, 전력-최대: 1.25W, 임피던스 (최대) (Zzt): 5 Ohms, 전류-역방향 누설 @ Vr: 1µA @ 6.8V, 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.2V @ 200mA,

위시리스트

Vishay Semiconductor Diodes Division

BZG05B9V1-HE3-TR

부품 재고: 6863

전압-제너 (공칭) (Vz): 9.1V, 공차: ±1.98%, 전력-최대: 1.25W, 임피던스 (최대) (Zzt): 5 Ohms, 전류-역방향 누설 @ Vr: 1µA @ 6.8V, 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.2V @ 200mA,

위시리스트

Vishay Semiconductor Diodes Division

BZG05B91-HE3-TR3

부품 재고: 6936

전압-제너 (공칭) (Vz): 91V, 공차: ±2%, 전력-최대: 1.25W, 임피던스 (최대) (Zzt): 250 Ohms, 전류-역방향 누설 @ Vr: 500nA @ 68V, 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.2V @ 200mA,

위시리스트

Vishay Semiconductor Diodes Division

BZG05B9V1-E3-TR

부품 재고: 6916

전압-제너 (공칭) (Vz): 9.1V, 공차: ±1.98%, 전력-최대: 1.25W, 임피던스 (최대) (Zzt): 5 Ohms, 전류-역방향 누설 @ Vr: 1µA @ 6.8V, 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.2V @ 200mA,

위시리스트

Vishay Semiconductor Diodes Division

BZG05B91-E3-TR3

부품 재고: 6877

전압-제너 (공칭) (Vz): 91V, 공차: ±2%, 전력-최대: 1.25W, 임피던스 (최대) (Zzt): 250 Ohms, 전류-역방향 누설 @ Vr: 500nA @ 68V, 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.2V @ 200mA,

위시리스트

Vishay Semiconductor Diodes Division

BZG05B91-HE3-TR

부품 재고: 6918

전압-제너 (공칭) (Vz): 91V, 공차: ±2%, 전력-최대: 1.25W, 임피던스 (최대) (Zzt): 250 Ohms, 전류-역방향 누설 @ Vr: 500nA @ 68V, 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.2V @ 200mA,

위시리스트

Vishay Semiconductor Diodes Division

BZG05B91-E3-TR

부품 재고: 6925

전압-제너 (공칭) (Vz): 91V, 공차: ±2%, 전력-최대: 1.25W, 임피던스 (최대) (Zzt): 250 Ohms, 전류-역방향 누설 @ Vr: 500nA @ 68V, 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.2V @ 200mA,

위시리스트

Vishay Semiconductor Diodes Division

BZG05B8V2-HE3-TR3

부품 재고: 6890

전압-제너 (공칭) (Vz): 8.2V, 공차: ±1.95%, 전력-최대: 1.25W, 임피던스 (최대) (Zzt): 5 Ohms, 전류-역방향 누설 @ Vr: 1µA @ 6.2V, 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.2V @ 200mA,

위시리스트

Vishay Semiconductor Diodes Division

BZG05B8V2-HE3-TR

부품 재고: 6898

전압-제너 (공칭) (Vz): 8.2V, 공차: ±1.95%, 전력-최대: 1.25W, 임피던스 (최대) (Zzt): 5 Ohms, 전류-역방향 누설 @ Vr: 1µA @ 6.2V, 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.2V @ 200mA,

위시리스트

Vishay Semiconductor Diodes Division

BZG05B8V2-E3-TR3

부품 재고: 6892

전압-제너 (공칭) (Vz): 8.2V, 공차: ±1.95%, 전력-최대: 1.25W, 임피던스 (최대) (Zzt): 5 Ohms, 전류-역방향 누설 @ Vr: 1µA @ 6.2V, 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.2V @ 200mA,

위시리스트

Vishay Semiconductor Diodes Division

BZG05B8V2-E3-TR

부품 재고: 6881

전압-제너 (공칭) (Vz): 8.2V, 공차: ±1.95%, 전력-최대: 1.25W, 임피던스 (최대) (Zzt): 5 Ohms, 전류-역방향 누설 @ Vr: 1µA @ 6.2V, 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.2V @ 200mA,

위시리스트

Vishay Semiconductor Diodes Division

BZG05B82-HE3-TR3

부품 재고: 6931

전압-제너 (공칭) (Vz): 82V, 공차: ±2%, 전력-최대: 1.25W, 임피던스 (최대) (Zzt): 200 Ohms, 전류-역방향 누설 @ Vr: 500nA @ 62V, 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.2V @ 200mA,

위시리스트

Vishay Semiconductor Diodes Division

BZG05B82-HE3-TR

부품 재고: 6853

전압-제너 (공칭) (Vz): 82V, 공차: ±2%, 전력-최대: 1.25W, 임피던스 (최대) (Zzt): 200 Ohms, 전류-역방향 누설 @ Vr: 500nA @ 62V, 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.2V @ 200mA,

위시리스트

Vishay Semiconductor Diodes Division

BZG05B82-E3-TR3

부품 재고: 6839

전압-제너 (공칭) (Vz): 82V, 공차: ±2%, 전력-최대: 1.25W, 임피던스 (최대) (Zzt): 200 Ohms, 전류-역방향 누설 @ Vr: 500nA @ 62V, 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.2V @ 200mA,

위시리스트

Vishay Semiconductor Diodes Division

BZG05B82-E3-TR

부품 재고: 6848

전압-제너 (공칭) (Vz): 82V, 공차: ±2%, 전력-최대: 1.25W, 임피던스 (최대) (Zzt): 200 Ohms, 전류-역방향 누설 @ Vr: 500nA @ 62V, 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.2V @ 200mA,

위시리스트

Vishay Semiconductor Diodes Division

BZG05B7V5-HE3-TR3

부품 재고: 6879

전압-제너 (공칭) (Vz): 7.5V, 공차: ±2%, 전력-최대: 1.25W, 임피던스 (최대) (Zzt): 3 Ohms, 전류-역방향 누설 @ Vr: 1µA @ 4.5V, 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.2V @ 200mA,

위시리스트

Vishay Semiconductor Diodes Division

BZG05B7V5-E3-TR

부품 재고: 6848

전압-제너 (공칭) (Vz): 7.5V, 공차: ±2%, 전력-최대: 1.25W, 임피던스 (최대) (Zzt): 3 Ohms, 전류-역방향 누설 @ Vr: 1µA @ 4.5V, 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.2V @ 200mA,

위시리스트

Vishay Semiconductor Diodes Division

BZG05B7V5-E3-TR3

부품 재고: 6839

전압-제너 (공칭) (Vz): 7.5V, 공차: ±2%, 전력-최대: 1.25W, 임피던스 (최대) (Zzt): 3 Ohms, 전류-역방향 누설 @ Vr: 1µA @ 4.5V, 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.2V @ 200mA,

위시리스트

Vishay Semiconductor Diodes Division

BZG05B75-HE3-TR3

부품 재고: 6895

전압-제너 (공칭) (Vz): 75V, 공차: ±2%, 전력-최대: 1.25W, 임피던스 (최대) (Zzt): 135 Ohms, 전류-역방향 누설 @ Vr: 500nA @ 56V, 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.2V @ 200mA,

위시리스트

Vishay Semiconductor Diodes Division

BZG05B75-HE3-TR

부품 재고: 3709

전압-제너 (공칭) (Vz): 75V, 공차: ±2%, 전력-최대: 1.25W, 임피던스 (최대) (Zzt): 135 Ohms, 전류-역방향 누설 @ Vr: 500nA @ 56V, 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.2V @ 200mA,

위시리스트

Vishay Semiconductor Diodes Division

BZG05B75-E3-TR3

부품 재고: 6864

전압-제너 (공칭) (Vz): 75V, 공차: ±2%, 전력-최대: 1.25W, 임피던스 (최대) (Zzt): 135 Ohms, 전류-역방향 누설 @ Vr: 500nA @ 56V, 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.2V @ 200mA,

위시리스트

Vishay Semiconductor Diodes Division

BZG05B75-E3-TR

부품 재고: 6901

전압-제너 (공칭) (Vz): 75V, 공차: ±2%, 전력-최대: 1.25W, 임피던스 (최대) (Zzt): 135 Ohms, 전류-역방향 누설 @ Vr: 500nA @ 56V, 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.2V @ 200mA,

위시리스트

Vishay Semiconductor Diodes Division

BZG05B6V8-HE3-TR

부품 재고: 6860

전압-제너 (공칭) (Vz): 6.8V, 공차: ±2.06%, 전력-최대: 1.25W, 임피던스 (최대) (Zzt): 3.5 Ohms, 전류-역방향 누설 @ Vr: 1µA @ 4V, 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.2V @ 200mA,

위시리스트

Vishay Semiconductor Diodes Division

BZG05B6V8-HE3-TR3

부품 재고: 6919

전압-제너 (공칭) (Vz): 6.8V, 공차: ±2.06%, 전력-최대: 1.25W, 임피던스 (최대) (Zzt): 3.5 Ohms, 전류-역방향 누설 @ Vr: 1µA @ 4V, 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.2V @ 200mA,

위시리스트