FET 유형: N-Channel, 전압-항복 (V (BR) GSS): 25V, 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 4mA @ 15V, 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 500mV @ 10nA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), 전압-항복 (V (BR) GSS): 25V, 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 6mA @ 10V, 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 1V @ 1nA,
FET 유형: N-Channel, 전압-항복 (V (BR) GSS): 30V, 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 500mA @ 10V, 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 4V @ 3nA,
FET 유형: N-Channel, 전압-항복 (V (BR) GSS): 30V, 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 200mA @ 10V, 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 1.5V @ 3nA,
