트랜지스터-FET, MOSFET-단일

SIE822DF-T1-GE3

SIE822DF-T1-GE3

부품 재고: 51914

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 50A (Tc), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.4 mOhm @ 18.3A, 10V,

위시리스트
SI4124DY-T1-GE3

SI4124DY-T1-GE3

부품 재고: 73658

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20.5A (Tc), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7.5 mOhm @ 14A, 10V,

위시리스트
SI7190ADP-T1-RE3

SI7190ADP-T1-RE3

부품 재고: 5803

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 250V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.3A (Ta), 14.4A (Tc), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 102 mOhm @ 4.3A, 10V,

위시리스트
SQD40P10-40L_GE3

SQD40P10-40L_GE3

부품 재고: 60955

FET 유형: P-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 38A (Tc), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 8.2A, 10V,

위시리스트
SI3410DV-T1-GE3

SI3410DV-T1-GE3

부품 재고: 156571

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8A (Tc), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 19.5 mOhm @ 5A, 10V,

위시리스트
SI7336ADP-T1-GE3

SI7336ADP-T1-GE3

부품 재고: 110398

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 30A (Ta), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3 mOhm @ 25A, 10V,

위시리스트
SIR804DP-T1-GE3

SIR804DP-T1-GE3

부품 재고: 53636

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 60A (Tc), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7.2 mOhm @ 20A, 10V,

위시리스트
SI7110DN-T1-GE3

SI7110DN-T1-GE3

부품 재고: 70542

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 13.5A (Ta), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.3 mOhm @ 21.1A, 10V,

위시리스트
SQP60N06-15_GE3

SQP60N06-15_GE3

부품 재고: 7998

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 56A (Tc), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 15 mOhm @ 30A, 10V,

위시리스트
SQD50N04-4M5L_GE3

SQD50N04-4M5L_GE3

부품 재고: 8005

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 50A (Tc), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.5 mOhm @ 20A, 10V,

위시리스트
SIHA2N80E-GE3

SIHA2N80E-GE3

부품 재고: 7877

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 800V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.8A (Tc), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.75 Ohm @ 1A, 10V,

위시리스트
SIHJ240N60E-T1-GE3

SIHJ240N60E-T1-GE3

부품 재고: 8086

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12A (Tc), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 240 mOhm @ 5.5A, 10V,

위시리스트
SQD50P04-09L_GE3

SQD50P04-09L_GE3

부품 재고: 51976

FET 유형: P-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 50A (Tc), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 9.4 mOhm @ 17A, 10V,

위시리스트
SQM40N10-30_GE3

SQM40N10-30_GE3

부품 재고: 63899

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 40A (Tc), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 15A, 10V,

위시리스트
SIS443DN-T1-GE3

SIS443DN-T1-GE3

부품 재고: 103467

FET 유형: P-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 35A (Tc), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 11.7 mOhm @ 15A, 10V,

위시리스트
SIR640ADP-T1-GE3

SIR640ADP-T1-GE3

부품 재고: 79620

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 41.6A (Ta), 100A (Tc), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2 mOhm @ 20A, 10V,

위시리스트
SIHH11N60E-T1-GE3

SIHH11N60E-T1-GE3

부품 재고: 44430

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11A (Tc), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 339 mOhm @ 5.5A, 10V,

위시리스트
SIJ420DP-T1-GE3

SIJ420DP-T1-GE3

부품 재고: 80903

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 50A (Tc), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.6 mOhm @ 15A, 10V,

위시리스트
TN2404K-T1-E3

TN2404K-T1-E3

부품 재고: 154551

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 240V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 200mA (Ta), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4 Ohm @ 300mA, 10V,

위시리스트
SQR40N10-25_GE3

SQR40N10-25_GE3

부품 재고: 70517

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 40A (Tc), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 40A, 10V,

위시리스트
SI5457DC-T1-GE3

SI5457DC-T1-GE3

부품 재고: 181431

FET 유형: P-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A (Tc), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 36 mOhm @ 4.9A, 4.5V,

위시리스트
SQM40010EL_GE3

SQM40010EL_GE3

부품 재고: 44193

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 120A (Tc), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.6 mOhm @ 30A, 10V,

위시리스트
SQD50P06-15L_GE3

SQD50P06-15L_GE3

부품 재고: 51969

FET 유형: P-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 50A (Tc), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 15.5 mOhm @ 17A, 10V,

위시리스트
SI4124DY-T1-E3

SI4124DY-T1-E3

부품 재고: 73664

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20.5A (Tc), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7.5 mOhm @ 14A, 10V,

위시리스트
SQD50P08-28_GE3

SQD50P08-28_GE3

부품 재고: 7970

FET 유형: P-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 80V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 48A (Tc), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 12.5A, 10V,

위시리스트
SQ2362ES-T1_GE3

SQ2362ES-T1_GE3

부품 재고: 123435

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.3A (Tc), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 95 mOhm @ 4.5A, 10V,

위시리스트
SUM60N10-17-E3

SUM60N10-17-E3

부품 재고: 54289

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 60A (Tc), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 16.5 mOhm @ 30A, 10V,

위시리스트
SI4368DY-T1-E3

SI4368DY-T1-E3

부품 재고: 80738

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 17A (Ta), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.2 mOhm @ 25A, 10V,

위시리스트
SQJQ100EL-T1_GE3

SQJQ100EL-T1_GE3

부품 재고: 54810

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 200A (Tc), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.2 mOhm @ 20A, 10V,

위시리스트
SQ2310ES-T1_GE3

SQ2310ES-T1_GE3

부품 재고: 108359

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A (Tc), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 5A, 4.5V,

위시리스트
SQM40022E_GE3

SQM40022E_GE3

부품 재고: 7937

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 150A (Tc), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.63 mOhm @ 35A, 10V,

위시리스트
SUM90220E-GE3

SUM90220E-GE3

부품 재고: 24530

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 200V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 64A (Tc), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 21.6 mOhm @ 15A, 10V,

위시리스트
SI4425DDY-T1-GE3

SI4425DDY-T1-GE3

부품 재고: 199634

FET 유형: P-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 19.7A (Tc), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 9.8 mOhm @ 13A, 10V,

위시리스트
SQM70060EL_GE3

SQM70060EL_GE3

부품 재고: 59019

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 75A (Tc), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.9 mOhm @ 30A, 10V,

위시리스트
SQP100N04-3M6_GE3

SQP100N04-3M6_GE3

부품 재고: 5795

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Tc), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.6 mOhm @ 30A, 10V,

위시리스트
SIR826ADP-T1-GE3

SIR826ADP-T1-GE3

부품 재고: 60175

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 80V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 60A (Tc), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.5 mOhm @ 20A, 10V,

위시리스트