FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 90V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 860mA (Tc), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4 Ohm @ 1A, 10V,
FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 990mA (Tc), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 1A, 10V,
FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 115mA (Ta), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7.5 Ohm @ 500mA, 10V,
FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 240mA (Ta), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 250mA, 10V,
FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 240mA (Ta), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 250mA, 10V,
FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 300mA (Ta), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2 Ohm @ 500mA, 10V,
FET 유형: P-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 50mA (Ta), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 20V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 300 Ohm @ 100µA, 20V,
FET 유형: P-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 50mA (Ta), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 20V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 250 Ohm @ 100µA, 20V,
FET 유형: P-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 270mA (Ta), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6 Ohm @ 500mA, 10V,
FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9.2A (Tc), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 750 mOhm @ 5.5A, 10V,
FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 50V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8.2A (Tc), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 200 mOhm @ 4.6A, 10V,
FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 200V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9A (Tc), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 400 mOhm @ 5.4A, 10V,
FET 유형: P-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20A (Tc), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 21 mOhm @ 10.5A, 10V,
FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8A (Tc), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 850 mOhm @ 4.8A, 10V,
FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 400V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.7A (Tc), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1 Ohm @ 2.1A, 10V,
FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 200V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.3A (Tc), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.5 Ohm @ 2A, 10V,
