감지 거리: 0.220" (5.59mm), 감지 방법: Reflective, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 24V, 전류-수집기 (Ic) (최대): 30mA, 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA, 출력 유형: Phototransistor,
감지 거리: 0.050" (1.27mm), 감지 방법: Reflective, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 30V, 전류-수집기 (Ic) (최대): 25mA, 전류-DC 순방향 (If) (최대): 12mA, 출력 유형: Phototransistor,
감지 거리: 0.250" (6.35mm), 감지 방법: Reflective, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 30V, 전류-수집기 (Ic) (최대): 25mA, 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA, 출력 유형: Phototransistor,
감지 거리: 0.150" (3.81mm), 감지 방법: Reflective, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 15V, 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA, 출력 유형: Transistor, Base-Emitter Resistor,
감지 거리: 0.150" (3.81mm), 감지 방법: Reflective, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 30V, 전류-DC 순방향 (If) (최대): 40mA, 출력 유형: Phototransistor,
감지 거리: 0.050" (1.27mm), 감지 방법: Reflective, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 24V, 전류-수집기 (Ic) (최대): 25mA, 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA, 출력 유형: Phototransistor,
감지 거리: 0.015" ~ 0.045" (0.38mm ~ 1.14mm) ADJ, 감지 방법: Reflective, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 30V, 전류-DC 순방향 (If) (최대): 40mA, 출력 유형: Phototransistor,
감지 거리: 0.080" (2.03mm), 감지 방법: Reflective, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 15V, 전류-수집기 (Ic) (최대): 125mA, 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA, 출력 유형: Photodarlington,
감지 거리: 0.150" (3.81mm), 감지 방법: Reflective, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 30V, 전류-수집기 (Ic) (최대): 25mA, 전류-DC 순방향 (If) (최대): 40mA, 출력 유형: Phototransistor,
감지 거리: 0.050" (1.27mm), 감지 방법: Reflective, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 30V, 전류-수집기 (Ic) (최대): 25mA, 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA, 출력 유형: Phototransistor,
감지 거리: 3" (76.2mm), 감지 방법: Reflective, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 30V, 전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA, 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA, 출력 유형: Phototransistor,
감지 거리: 0.050" (1.27mm), 감지 방법: Reflective, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 15V, 전류-수집기 (Ic) (최대): 125mA, 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA, 출력 유형: Photodarlington,
감지 거리: 0.150" (3.81mm), 감지 방법: Reflective, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 15V, 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA, 출력 유형: Photodarlington,
감지 거리: 0.149" (3.8mm), 감지 방법: Reflective, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 30V, 전류-수집기 (Ic) (최대): 6mA, 전류-DC 순방향 (If) (최대): 40mA, 출력 유형: Phototransistor,
감지 거리: 0.150" (3.81mm), 감지 방법: Reflective, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 15V, 전류-DC 순방향 (If) (최대): 40mA, 출력 유형: Photodarlington,
감지 거리: 0.200" (5.08mm), 감지 방법: Reflective, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 24V, 전류-DC 순방향 (If) (최대): 100mA, 출력 유형: Phototransistor,
감지 거리: 0.05" (1.27mm), 감지 방법: Reflective, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 24V, 전류-수집기 (Ic) (최대): 25mA, 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA, 출력 유형: Phototransistor,
감지 거리: 1" (25.4mm), 감지 방법: Reflective, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 30V, 전류-수집기 (Ic) (최대): 20mA, 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA, 출력 유형: Phototransistor,
감지 거리: 0.150" (3.81mm), 감지 방법: Reflective, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 30V, 전류-수집기 (Ic) (최대): 25mA, 전류-DC 순방향 (If) (최대): 40mA, 출력 유형: Transistor,
감지 거리: 0.150" (3.81mm), 감지 방법: Reflective, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 15V, 전류-수집기 (Ic) (최대): 25mA, 전류-DC 순방향 (If) (최대): 40mA, 출력 유형: Darlington,
감지 거리: 0.300" (7.62mm), 감지 방법: Reflective, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 30V, 전류-DC 순방향 (If) (최대): 40mA, 출력 유형: Transistor, Base-Emitter Resistor,
감지 거리: 0.200" (5.08mm), 감지 방법: Reflective, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 15V, 전류-DC 순방향 (If) (최대): 100mA, 출력 유형: Photodarlington,
