감지 거리: 0.125" (3.18mm), 감지 방법: Transmissive, 출력 구성: Phototransistor, 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA, 전류-수집기 (Ic) (최대): 30mA, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 30V,
감지 거리: 0.200" (5.08mm), 감지 방법: Transmissive, 출력 구성: Phototransistor, 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA, 전류-수집기 (Ic) (최대): 30mA, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 30V,
감지 거리: 0.080" (2.03mm), 감지 방법: Transmissive, 출력 구성: Phototransistor, 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 30V,
감지 거리: 0.100" (2.54mm), 감지 방법: Transmissive, 출력 구성: Phototransistor, 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA, 전류-수집기 (Ic) (최대): 30mA, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 30V,
출력 구성: Open Collector, 전류-DC 순방향 (If) (최대): 20mA,
감지 방법: Optical Flag, 출력 구성: Transistor, Base-Emitter Resistor, 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA, 전류-수집기 (Ic) (최대): 20mA, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 24V,
