감지 거리: 0.125" (3.18mm), 감지 방법: Transmissive, 출력 구성: Phototransistor, 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA, 전류-수집기 (Ic) (최대): 30mA, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 30V,
감지 방법: Transmissive, 출력 구성: Phototransistor, 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 30V,
감지 거리: 0.375" (9.53mm), 감지 방법: Transmissive, 출력 구성: Phototransistor, 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA, 전류-수집기 (Ic) (최대): 30mA, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 30V,
감지 방법: Transmissive, 출력 구성: Phototransistor, 전류-DC 순방향 (If) (최대): 20mA, 전류-수집기 (Ic) (최대): 10mA, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 30V,
감지 거리: 0.201" (5.1mm), 감지 방법: Transmissive, 출력 구성: Phototransistor, 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA, 전류-수집기 (Ic) (최대): 30mA, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 30V,
감지 거리: 0.100" (2.54mm), 감지 방법: Transmissive, 출력 구성: Phototransistor, 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 30V,
감지 거리: 0.150" (3.81mm), 감지 방법: Transmissive, 출력 구성: Phototransistor, 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 30V,
감지 거리: 12" (304.8mm), 감지 방법: Transmissive, 출력 구성: Phototransistor, 전류-DC 순방향 (If) (최대): 100mA, 전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 30V,
감지 거리: 0.190" (4.83mm), 감지 방법: Transmissive, 출력 구성: Transistor, Base-Emitter Resistor, 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA, 전류-수집기 (Ic) (최대): 30mA, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 24V,
출력 구성: Totem Pole, 전류-DC 순방향 (If) (최대): 20mA,
감지 거리: 0.063" (1.6mm), 감지 방법: Liquid, 출력 구성: Phototransistor, 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA, 전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 30V,
감지 방법: Optical Flag, 출력 구성: Phototransistor, 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA, 전류-수집기 (Ic) (최대): 20mA, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 24V,
