FET 유형: N and P-Channel, Common Drain, FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.6A, 4.7A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 36 mOhm @ 6A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA,
FET 유형: N and P-Channel, FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8.8A, 7.3A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 26.5 mOhm @ 7A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA,
FET 유형: N and P-Channel, Common Drain, FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.3A, 5.3A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 4A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA,
FET 유형: 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.5A, 4.1A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 33 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA,
