기억 | 집적 회로 (IC) | 3

TC58NYG2S0HBAI4

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메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: FLASH, 과학 기술: FLASH - NAND (SLC), 메모리 크기: 4Gb (512M x 8), 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 25ns,

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TC58CYG1S3HRAIG

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메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: FLASH, 과학 기술: FLASH - NAND (SLC), 메모리 크기: 2Gb (256M x 8), 클록 주파수: 104MHz,

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TC58NVG2S0HTAI0

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메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: FLASH, 과학 기술: FLASH - NAND (SLC), 메모리 크기: 4Gb (512M x 8), 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 25ns,

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TC58NYG1S3HBAI4

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메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: FLASH, 과학 기술: FLASH - NAND (SLC), 메모리 크기: 2Gb (256M x 8), 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 25ns,

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TC58BVG1S3HBAI4

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메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: FLASH, 과학 기술: FLASH - NAND (SLC), 메모리 크기: 2Gb (256M x 8), 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 25ns,

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TC58BVG2S0HTAI0

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메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: FLASH, 과학 기술: FLASH - NAND (SLC), 메모리 크기: 4Gb (512M x 8), 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 25ns,

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TC58NVG2S0HTA00

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메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: FLASH, 과학 기술: FLASH - NAND (SLC), 메모리 크기: 4Gb (512M x 8), 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 25ns,

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TC58BYG2S0HBAI6

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TH58NVG2S3HTA00

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메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: FLASH, 과학 기술: FLASH - NAND (SLC), 메모리 크기: 4Gb (512M x 8), 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 25ns,

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TC58BVG2S0HBAI4

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TC58NVG2S0HBAI6

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TC58CVG2S0HRAIG

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TC58BYG1S3HBAI4

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TC58CYG0S3HRAIG

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메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: FLASH, 과학 기술: FLASH - NAND (SLC), 메모리 크기: 2Gb (256M x 8), 클록 주파수: 104MHz,

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TC58NVG2S0HBAI4

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TH58BVG2S3HTA00

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TC58BVG2S0HTA00

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TH58NVG2S3HTAI0

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TH58BYG2S3HBAI6

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TH58BVG2S3HTAI0

부품 재고: 14321

메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: FLASH, 과학 기술: FLASH - NAND (SLC), 메모리 크기: 4Gb (512M x 8), 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 25ns,

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TC58NYG2S0HBAI6

부품 재고: 17235

메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: FLASH, 과학 기술: FLASH - NAND (SLC), 메모리 크기: 4Gb (512M x 8), 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 25ns,

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TC58NVG1S3HTA00

부품 재고: 1523

메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: FLASH, 과학 기술: FLASH - NAND (SLC), 메모리 크기: 2Gb (256M x 8), 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 25ns,

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TC58BYG0S3HBAI4

부품 재고: 1411

메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: FLASH, 과학 기술: FLASH - NAND (SLC), 메모리 크기: 1Gb (128M x 8), 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 25ns,

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TC58NVG1S3HBAI4

부품 재고: 24524

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TC58BVG1S3HTA00

부품 재고: 669

메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: FLASH, 과학 기술: FLASH - NAND (SLC), 메모리 크기: 2Gb (256M x 8), 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 25ns,

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TC58NVG1S3HTAI0

부품 재고: 577

메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: FLASH, 과학 기술: FLASH - NAND (SLC), 메모리 크기: 2Gb (256M x 8), 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 25ns,

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TC58BYG1S3HBAI6

부품 재고: 25500

메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: FLASH, 과학 기술: FLASH - NAND (SLC), 메모리 크기: 2Gb (256M x 8), 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 25ns,

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TC58NVG1S3HBAI6

부품 재고: 25447

메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: FLASH, 과학 기술: FLASH - NAND (SLC), 메모리 크기: 2Gb (256M x 8), 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 25ns,

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TC58BVG1S3HBAI6

부품 재고: 2239

메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: FLASH, 과학 기술: FLASH - NAND (SLC), 메모리 크기: 2Gb (256M x 8), 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 25ns,

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TC58NYG1S3HBAI6

부품 재고: 25501

메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: FLASH, 과학 기술: FLASH - NAND (SLC), 메모리 크기: 2Gb (256M x 8), 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 25ns,

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TC58BVG1S3HTAI0

부품 재고: 24548

메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: FLASH, 과학 기술: FLASH - NAND (SLC), 메모리 크기: 2Gb (256M x 8), 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 25ns,

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TC58CVG0S3HRAIG

부품 재고: 1485

메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: FLASH, 과학 기술: FLASH - NAND (SLC), 메모리 크기: 1Gb (128M x 8), 클록 주파수: 104MHz,

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TC58NVG0S3HTAI0

부품 재고: 2401

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TC58BVG0S3HBAI6

부품 재고: 33228

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TC58BVG0S3HTAI0

부품 재고: 31571

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TC58BYG0S3HBAI6

부품 재고: 33224

메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: FLASH, 과학 기술: FLASH - NAND (SLC), 메모리 크기: 1Gb (128M x 8), 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 25ns,

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