감지 거리: 0.138" (3.5mm), 감지 방법: Reflective, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 35V, 전류-수집기 (Ic) (최대): 20mA, 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA, 출력 유형: Phototransistor,
감지 거리: 0.031" (0.8mm), 감지 방법: Reflective, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 35V, 전류-수집기 (Ic) (최대): 20mA, 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA, 출력 유형: Phototransistor,
감지 거리: 0.512" (13mm), 감지 방법: Reflective, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 35V, 전류-수집기 (Ic) (최대): 20mA, 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA, 출력 유형: Photodarlington,
감지 거리: 0.028" (0.7mm), 감지 방법: Reflective, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 35V, 전류-수집기 (Ic) (최대): 20mA, 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA, 출력 유형: Phototransistor,
감지 거리: 0.028" (0.7mm), 감지 방법: Reflective, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 35V, 전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA, 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA, 출력 유형: Photodarlington,
감지 거리: 0.031" (0.8mm), 감지 방법: Reflective, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 35V, 전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA, 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA, 출력 유형: Photodarlington,
감지 거리: 0.551" (14mm), 감지 방법: Reflective, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 35V, 전류-수집기 (Ic) (최대): 20mA, 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA, 출력 유형: Phototransistor,
감지 거리: 0.256" (6.5mm), 감지 방법: Reflective, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 35V, 전류-수집기 (Ic) (최대): 20mA, 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA, 출력 유형: Phototransistor,
