FET 유형: 3 N and 3 P-Channel (3-Phase Bridge), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 550 mOhm @ 2A, 4V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA,
FET 유형: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 250V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 500 mOhm @ 3.5A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1mA,
FET 유형: 4 N-Channel, FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 3.5A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA,
FET 유형: 4 N-Channel, FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250mA,
FET 유형: 3 N and 3 P-Channel (3-Phase Bridge), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 55V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8A,
FET 유형: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 3.5A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA,
FET 유형: 4 N-Channel, FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 200V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 175 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1mA,
FET 유형: 3 N and 3 P-Channel (3-Phase Bridge), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 550 Ohm @ 2A, 4V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA,
FET 유형: 3 N and 3 P-Channel (3-Phase Bridge), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 140 mOhm @ 5A, 4V,
FET 유형: 3 N and 3 P-Channel (3-Phase Bridge), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10A, 6A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 140 mOhm @ 5A, 4V,
FET 유형: 3 N and 3 P-Channel (3-Phase Bridge), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 35V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8A,
FET 유형: 5 P-Channel, Common Source, FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 220 mOhm @ 3A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA,
FET 유형: 3 N and 3 P-Channel (3-Phase Bridge), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7A,
FET 유형: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.4 Ohm @ 2.5A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1mA,
FET 유형: 3 N and 3 P-Channel (3-Phase Bridge), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.5A,
FET 유형: 3 N and 3 P-Channel (3-Phase Bridge), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.5A,
FET 유형: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 250V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 250 mOhm @ 3.5A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1mA,
FET 유형: 3 N and 3 P-Channel (3-Phase Bridge), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 250V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2A,
FET 유형: 3 N and 3 P-Channel (3-Phase Bridge), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 140 mOhm @ 5A, 4V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA,
FET 유형: 3 N and 3 P-Channel (3-Phase Bridge), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 220 mOhm @ 3A, 4V,
FET 유형: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 300 mOhm @ 3A, 4V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA,
FET 유형: 4 N-Channel (Half Bridge), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 300 mOhm @ 3A, 4V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA,
FET 유형: 5 N-Channel, Common Source, FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 220 mOhm @ 3A, 4V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA,
