메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: SRAM, 과학 기술: SRAM, 메모리 크기: 16Mb (2M x 8, 1M x 16), 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns,
메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: SRAM, 과학 기술: SRAM, 메모리 크기: 64Mb (8M x 8, 4M x 16), 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 55ns,
메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: SRAM, 과학 기술: SRAM, 메모리 크기: 32Mb (2M x 16), 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 55ns,
메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: SRAM, 과학 기술: SRAM, 메모리 크기: 16Mb (1M x 16), 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns,
메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: SRAM, 과학 기술: SRAM, 메모리 크기: 32Mb (4M x 8, 2M x 16), 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 55ns,
메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: SRAM, 과학 기술: SRAM, 메모리 크기: 32Mb (2M x 16), 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns,
메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: SRAM, 과학 기술: SRAM, 메모리 크기: 4Mb (256K x 16), 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 12ns,
메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: SRAM, 과학 기술: SRAM, 메모리 크기: 8Mb (512K x 16), 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 55ns,
메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: SRAM, 과학 기술: SRAM, 메모리 크기: 64Mb (8M x 8, 4M x 16), 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns,
메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: SRAM, 과학 기술: SRAM, 메모리 크기: 8Mb (512K x 16), 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 45ns,
메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: EEPROM, 과학 기술: EEPROM, 메모리 크기: 256Kb (32K x 8), 클록 주파수: 400kHz, 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 5ms,
메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: EEPROM, 과학 기술: EEPROM, 메모리 크기: 16Kb (2K x 8), 클록 주파수: 400kHz, 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 5ms,
메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: SRAM, 과학 기술: SRAM, 메모리 크기: 1Mb (128K x 8), 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 55ns,
