트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

QJD1210010

부품 재고: 2869

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Silicon Carbide (SiC), 드레인-소스 전압 (Vdss): 1200V (1.2kV), 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Tc), Rds On (최대) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 100A, 20V, Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 10mA,

QJD1210SA1

부품 재고: 2941

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 1200V (1.2kV), 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 17 mOhm @ 100A, 15V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.6V @ 34mA,

QJD1210SA2

부품 재고: 2896

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 1200V (1.2kV), 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 17 mOhm @ 100A, 15V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.6V @ 34mA,

QJD1210SB1

부품 재고: 2931

QJD1210011

부품 재고: 3308

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Silicon Carbide (SiC), 드레인-소스 전압 (Vdss): 1200V (1.2kV), 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Tc), Rds On (최대) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 100A, 20V, Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 10mA,