감지 거리: 0.197" (5mm), 감지 방법: Reflective, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 30V, 전류-수집기 (Ic) (최대): 10mA, 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA, 출력 유형: Phototransistor,
감지 거리: 0.039" ~ 0.197" (1mm ~ 5mm), 감지 방법: Reflective, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 30V, 전류-수집기 (Ic) (최대): 10mA, 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA, 출력 유형: Phototransistor,
감지 거리: 0.039" (1mm), 감지 방법: Reflective, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 5V, 전류-수집기 (Ic) (최대): 700mA, 전류-DC 순방향 (If) (최대): 1mA, 출력 유형: Transistor,
감지 거리: 0.197" (5mm), 감지 방법: Reflective, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 30V, 전류-수집기 (Ic) (최대): 20mA, 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA, 출력 유형: Phototransistor,
감지 거리: 0.039" ~ 0.197" (1mm ~ 5mm), 감지 방법: Reflective, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 16V, 전류-수집기 (Ic) (최대): 10mA, 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA, 출력 유형: Phototransistor,
감지 방법: Reflective, 출력 유형: Photodiode,
감지 방법: Reflective, 전류-DC 순방향 (If) (최대): 25mA, 출력 유형: Photodiode,
감지 방법: Reflective, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 35V, 전류-수집기 (Ic) (최대): 15mA, 전류-DC 순방향 (If) (최대): 30mA, 출력 유형: Phototransistor,
