트랜지스터-FET, MOSFET-단일

NX138BKWX

부품 재고: 120725

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 210mA (Ta), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.5 Ohm @ 200mA, 10V,

PSMN2R0-25YLDX

부품 재고: 188677

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Tc), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.09 mOhm @ 25A, 10V,

PMN16XNEX

부품 재고: 124752

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.9A (Ta), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 19 mOhm @ 6.9A, 4.5V,

PMPB25ENEX

부품 재고: 9980

PMPB29XPEAX

부품 재고: 9982

FET 유형: P-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5A (Ta), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 32.5 mOhm @ 5A, 4.5V,

PSMN9R1-30YL,115

부품 재고: 159736

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 57A (Tc), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 9.1 mOhm @ 15A, 10V,

PMN45EN,135

부품 재고: 1093

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.2A (Tc), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 3A, 10V,

PSMN1R5-40PS,127

부품 재고: 22970

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 120A (Tc), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.6 mOhm @ 25A, 10V,

PSMN2R8-40BS,118

부품 재고: 75299

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Tc), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.9 mOhm @ 10A, 10V,

PMZ760SN,315

부품 재고: 5704

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.22A (Tc), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 900 mOhm @ 300mA, 10V,

PSMN2R0-60PS,127

부품 재고: 23879

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 120A (Tc), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.2 mOhm @ 25A, 10V,

PSMN3R0-60PS,127

부품 재고: 24883

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Tc), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3 mOhm @ 25A, 10V,

PHB32N06LT,118

부품 재고: 117109

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 34A (Tc), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 4.5V, 5V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 37 mOhm @ 20A, 10V,

PMZ270XN,315

부품 재고: 1122

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.15A (Tc), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 340 mOhm @ 200mA, 4.5V,

PSMN4R2-60PLQ

부품 재고: 30556

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 130A (Tc), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.9 mOhm @ 25A, 10V,

PH1730AL,115

부품 재고: 900

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Tc), Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.7 mOhm @ 15A, 10V,

PSMN017-30EL,127

부품 재고: 69119

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 32A (Tc), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 17 mOhm @ 10A, 10V,

PH7030AL,115

부품 재고: 6162

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 76A (Tc), Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7 mOhm @ 15A, 10V,

PHK04P02T,518

부품 재고: 144307

FET 유형: P-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 16V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.66A (Tc), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 1A, 4.5V,

PH2530AL,115

부품 재고: 914

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Tc), Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.4 mOhm @ 15A, 10V,

PH1930AL,115

부품 재고: 921

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Tc), Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2 mOhm @ 15A, 10V,

PSMN1R8-30PL,127

부품 재고: 28528

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Tc), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.8 mOhm @ 25A, 10V,

PSMN5R6-100BS,118

부품 재고: 46292

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Tc), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.6 mOhm @ 25A, 10V,

PSMN2R8-80BS,118

부품 재고: 41139

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 80V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 120A (Tc), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3 mOhm @ 25A, 10V,

PH1330AL,115

부품 재고: 1014

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Tc), Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.3 mOhm @ 15A, 10V,

PH3030AL,115

부품 재고: 855

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Tc), Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3 mOhm @ 15A, 10V,

PSMN1R6-30BL,118

부품 재고: 63712

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Tc), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.9 mOhm @ 25A, 10V,

PHB110NQ08T,118

부품 재고: 976

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 75V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 75A (Tc), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 9 mOhm @ 25A, 10V,

PMN28UN,135

부품 재고: 1112

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 12V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.7A (Tc), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 34 mOhm @ 2A, 4.5V,

PH5030AL,115

부품 재고: 870

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 91A (Tc), Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 15A, 10V,

PH4030AL,115

부품 재고: 5704

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Tc), Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4 mOhm @ 15A, 10V,

PSMN2R2-40BS,118

부품 재고: 47973

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Tc), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.2 mOhm @ 25A, 10V,

PHP20NQ20T,127

부품 재고: 47022

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 200V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20A (Tc), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 130 mOhm @ 10A, 10V,

PSMN1R1-40BS,118

부품 재고: 42966

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 120A (Tc), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.3 mOhm @ 25A, 10V,

PSMN013-100BS,118

부품 재고: 87130

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 68A (Tc), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 13.9 mOhm @ 15A, 10V,

PHP191NQ06LT,127

부품 재고: 33669

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 55V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 75A (Tc), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.7 mOhm @ 25A, 10V,