FET 유형: 3 N-Channel, Common Gate, FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 80mA, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 190 Ohm @ 10mA, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 250µA,