구동 구성: Low-Side, 채널 유형: Independent, 드라이버 수: 2, 게이트 유형: IGBT, SiC MOSFET, 전압-공급: 4V ~ 14V, 논리 전압-VIL, VIH: 2V, 4.25V,
구동 구성: Low-Side, 채널 유형: Single, 드라이버 수: 1, 게이트 유형: N-Channel MOSFET, 전압-공급: 4V ~ 14V, 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2V,
